ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ НОВОЙ КОНТАКТНОЙ СТРУКТУРЫ «НАНООБЪЕКТ-ПОЛУПРОВОДНИК» Имамов Э. З., Джалалов Т. А., Муминов Р. А., Рахимов Р. Х. <...> ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ НОВОЙ КОНТАКТНОЙ СТРУКТУРЫ «НАНООБЪЕКТ-ПОЛУПРОВОДНИК» Имамов Эркин Зуннунович, д-р физ.-мат. наук, профессор. <...> Ташкентский университет информационных технологий Джалалов Темур Асфандиярович, старший преподаватель. <...> E-mail: rustam-shsul@yandex.com Аннотация: В работе представлена теоретическая модель формирования области пространственного заряда в принципиально новых контактных структурах, состоящих из полупроводниковой базы и нанесенных на неё нановключений. <...> На основе разработанной теоретической модели новой контактной структуры объяснено эффективное фотопреобразование в широком инфракрасном диапазоне солнечного излучения, наблюдаемое в эксперименте. <...> Показано, что эффективное поглощение инфракрасного излучения становится возможным благодаря удлинению области пространственного заряда, что обеспечивается созданием непосредственно на подложке многих наноразмерных р-п переходов. <...> E-mail: rustam-shsul@yandex.com Abstract: In the paper presents a theoretical model of the fundamentally new contact structures, consisting of a semiconductor base with applied on it surface a lot of nanoinclusions. <...> This effect is achieved by application many nanoscale pn junctions on the semiconductor substrate base. <...> The new contact structure can be made of cheap materials such as industrial silicon. <...> Солнечные элементы (СЭ) массового производства состоят из диодных структур с одним сплошным макро р-n переходом (с площадью нескольких сотен mm2). <...> 51 Computational nanotechnology 4-2015 Коэффициент полезного действия (КПД), например, серийных образцов СЭ на кремниевой основе подложки относительно мал – порядка 14–16% (в лучших мировых научно-исследовательских центрах – не превосходит 25%). <...> Одной из главных причин этого является относительная узость спектра эффективного поглощения солнечного излучения (эффективно преобразовывается в электричество только излучение с энергией соизмеримой ширине запрещенной зоны полупроводника подложки). <...> Концентрирование солнечного <...>