КВАНТОВОЕ МОЛЕКУЛЯРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ДИФФУЗИИ ПРИ СТРУКТУРНОМ ФАЗОВОМ ПЕРЕХОДЕ В АМОРФНОМ УГЛЕРОДЕ Попов А. М., Шумкин Г. Н., Никишин Н. Г. 1.2. <...> КВАНТОВОЕ МОЛЕКУЛЯРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ДИФФУЗИИ ПРИ СТРУКТУРНОМ ФАЗОВОМ ПЕРЕХОДЕ В АМОРФНОМ УГЛЕРОДЕ Попов Александр Михайлович, профессор, профессор, д-р физ.-мат. наук, факультет вычислительной математики и кибернетики, Московский Государственный Университет им. <...> М.В. Ломоносова, Москва, действительный член РАЕН по отделению «Прикладная математика и управление», член Американского Физического общества, popov@cs.msu.su Шумкин Георгий Николаевич, разработчик ПО, канд. физ.-мат. наук, IBM Systems and Technology Group, Научно-технический центр IBM в России, Москва, Россия; georgiy-sh@yandex.ru Никишин Николай Глебович, аспирант, факультет вычислительной математики и кибернетики, Московский Государственный Университет им. <...> М. В. Ломоносова, Москва; mail@nikishinng.ru Аннотация: Целью работы является моделирование, направленное на объяснение процессов, происходящих при создании памяти, основанной на фазовых переходах. <...> В работе проводится квантовое моделирование «из первых принципов» процесса диффузии атомов в аморфном углероде при структурном фазовом переходе. <...> Показано, что термические эффекты приводят к образованию графитовой послойной структуры в молекулярной системе. <...> В окрестности термически обусловленного фазового перехода процесс диффузии является анизотропным и обусловлен взаимодействием ионов друг с другом с образованием электронных ковалентных связей. <...> Временной процесс увеличения среднеквадратичного отклонения отличается от Эйнштейновской зависимости из-за взаимодействия атомов и образования связей. <...> Такая структура соответствует повышению электрической проводимости по сравнению с аморфной структурой. <...> Плотность носителей заряда увеличивается в окрестности графитовых поверхностей. <...> Полученные характеристики диффузии позволяют объяснить механизм фазового <...>