ОСОБЕННОСТИ ФОРМИРОВАНИЯ КЛАСТЕРОВ НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ А3В5 Сычикова Яна Александровна, кандидат физико-математических наук, доцент. <...> E-mail: yanasuchikova@mail.ru Аннотация: в работе рассмотрены особенности образования кластеров на поверхности полупроводников группы А3В5 при электрохимической обработке. <...> Механизм данного явления описан с точки зрения когерентных явлений в стохастических системах. <...> Результаты исследования когерентных явлений в стохастических системах представляют интерес с точки зрения применения их в различных физических областях. <...> Одной из проблем, связанных с образованием кластеров, является модель формирования наноструктурированного пространства в различных полупроводниковых кристаллах. <...> Порообразование наблюдается на поверхности кремния, германия, а также полупроводников типа А3В5. <...> В последнее время значительно вырос интерес к исследованиям структур с пониженной размерностью, проявляющих ряд необычных свойств, которыми не обладал исходный полупроводниковый кристалл. <...> Простейшими возможностями создания такого материала является электрохимическая обработка в специальных растворах, приводящая к формированию пористого пространства. <...> Исследование порообразования в полупроводниковых кристаллах является объектом многих исследований. <...> Это объясняется перспективностью использования пористых полупроводников в микроэлектронике и оптоэлектронике. <...> Более полное понимание взаимосвязи параметров процесса электролитического растворения с характеристиками наноструктур позволит определить условия формирования материала со строго заданными, воспроизводимым физическими свойствами, что усилит его прикладной потенциал, а также позволит развить теоретические представления о механизме порообразования в полупроводниках. <...> В рамках данной работы рассматриваются особенности образования нанокластеров на поверхности полупроводников группы <...>