Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634655)
Контекстум
.
Прикладная физика  / №6 2016

Исследование структурных дефектов кристаллов 4H-SiC методом рентгеновской микротомографии (100,00 руб.)

0   0
Первый авторНищев
АвторыМамин Б.Ф., Неверов В.А., Сидоров Р.И., Скворцов Д.А.
Страниц4
ID561318
АннотацияМетодом рентгеновской микротомографии исследована дефектная структура кристаллов 4H-SiC, полученных PVT-способом. Определены линейные характеристики поровых дефектов. Установлено, что поверхности микропор имеют фрактальный характер со значениями фрактальной размерности 2,20—2,60. Методом рентгеновской микротомографии в исследуемых кристаллах выявлены макродефекты, имеющие форму «сплющенных» микротрубок с поперечным сечением, близким к эллиптическому.
УДК538.971
Исследование структурных дефектов кристаллов 4H-SiC методом рентгеновской микротомографии / К.Н. Нищев [и др.] // Прикладная физика .— 2016 .— №6 .— С. 94-97 .— URL: https://rucont.ru/efd/561318 (дата обращения: 23.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Прикладная физика, 2016, № 6 МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ УДК 538.971 Исследование структурных дефектов кристаллов 4H-SiC методом рентгеновской микротомографии К. Н. Нищев, Б. Ф. Мамин, В. А. Неверов, Р. И. Сидоров, Д. А. Скворцов Методом рентгеновской микротомографии исследована дефектная структура кристаллов 4H-SiC, полученных PVT-способом. <...> Установлено, что поверхности микропор имеют фрактальный характер со значениями фрактальной размерности 2,20—2,60. <...> Методом рентгеновской микротомографии в исследуемых кристаллах выявлены макродефекты, имеющие форму «сплющенных» микротрубок с поперечным сечением, близким к эллиптическому. <...> Dd + 61.72. up Ключевые слова: карбид кремния, структурные неоднородности, фрактальная размерность. <...> Введение Обеспечение технологической независимости России связано с промышленной реализацией многих отечественных разработок, в т.ч. и по выращиванию карбидокремниевых подложек, эпитаксиальных структур, объемных кристаллов. <...> Широкозонный полупроводник карбид кремния с его уникальными свойствами можно считать идеальным материалом для создания приборов силовой электроники [1]. <...> В процессе роста эпитаксиальных слоев и объемных кристаллов SiC образуются различные дефекты кристаллической решетки, в частности, микротрубки, представляющие собой вытянутые цилиндрические поры переменного сечения, диаметр которых может варьироваться от долей до единиц микрометров [2—4]. <...> Механизмы формирования морфологических особенностей микротрубок в кристаллах карбида кремния рассмотрены в работе [5]. <...> E-mail: rokman_ri@mail.ru Статья поступила в редакцию 24 октября 2016 г. © Нищев К. Н., Мамин Б. Ф., Неверов В. А., Сидоров Р. И., Скворцов Д. А., 2016 93 микропоровых дефектов, выращенные методом сублимации, слитки карбида кремния содержат достаточно высокую концентрацию таких структурных неоднородностей как дислокации, политипные и углеродные включения, межзеренные и малоугловые доменные границы [6]. <...> Для визуализации дефектной структуры <...>