ФОТОЭЛЕКТРОНИКА УДК 938.915; 938.971 Фотоответ дефектных фотоэлементов в матричных КРТ-фотоприёмниках с anti-debiasing подслоем В. В. Васильев, А. В. Вишняков, С. А. Дворецкий, А. В. Предеин, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, В. А. Стучинский Изучено влияние anti-debiasing подслоя на электрические характеристики и фотоответ дефектных и недефектных фотоэлементов в длинноволновых фотоприёмных устройствах (ФПУ) на основе материала кадмий-ртуть-теллур. <...> Показано, что наиболее ярким следствием наличия в структуре фотоэлементов матрицы паразитного диода с p–n-переходом на границе фоточувствительной плёнки с anti-debiasing подслоем является возникновение отрицательного фотоответа дефектных фотоэлементов ФПУ. <...> Bt; 85.60.Gz Ключевые слова: матричные ИК-фотоприемники, материал кадмий-ртуть-теллур, КРТ, вольтамперные характеристики, профиль фотосигнала, фотодиод, anti-debiasing подслой. <...> Введение Важным элементом длинноволновых фотодиодных матриц большого формата на основе материала кадмий-ртуть-теллур (КРТ) является дополнительный сильнолегированный подслой, выращиваемый между подложкой и основным фоточувствительным слоем, который служит для подавления debiasing-эффекта, а также может использоваться как встроенный коротковолновой отрезающий фильтр ИК-излучения [1—5]. Debiasing-эффект возникает в фотоприемниках со значительным уровнем фотодиодных токов вследствие заметного падения напряжения, возникающего при протекании тока вдоль фоточувствительной пленки (ФП) на обрамляющий контакт матрицы; вследствие этого центральные фотодиоды Васильев Владимир Васильевич, зав. лабораторией. <...> E-mail: stuchin@isp.nsc.ru Статья поступила в редакцию 1 августа 2016 г. © Васильев В. В., Вишняков А. В., Дворецкий С. А., Предеин А. В., Сабинина И. В., Сидоров Ю. Г., Стучинский В. А., 2016 матрицы оказываются недосмещенными в обратном направлении по сравнению с периферийными диодами. <...> Функция anti-debiasing слоя заключается в шунтировании латерального сопротивления фоточувствительной пленки <...>