Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634938)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Прикладная физика  / №6 2016

InGaAs/AlGaAs гетероструктуры с квантовыми ямами для широкоформатных матриц, фоточувствительных в спектральном диапазоне 3÷5 мкм (100,00 руб.)

0   0
Первый авторДудин
АвторыКацавец Н.И., Красовицкий Д.М., Кокин С.В., Чалый В.П., Шуков И.В.
Страниц5
ID561310
АннотацияВ настоящей работе представлены результаты исследования фотоэлектрических свойств механически напряженных InGaAs/AlGaAs гетероструктур с квантовыми ямами различной конструкции, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на GaAs подложке и предназначенных для средневолновых инфракрасных широкоформатных фотоприемных матриц, работающих в спектральном диапазоне 3÷5 мкм. Показано, что изменение состава барьерных слоев приводит к существенному сдвигу спектров фоточувствительности таких гетероструктур
УДК621.383.4
InGaAs/AlGaAs гетероструктуры с квантовыми ямами для широкоформатных матриц, фоточувствительных в спектральном диапазоне 3÷5 мкм / А.Л. Дудин [и др.] // Прикладная физика .— 2016 .— №6 .— С. 50-54 .— URL: https://rucont.ru/efd/561310 (дата обращения: 02.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Прикладная физика, 2016, № 6 ФОТОЭЛЕКТРОНИКА УДК 621.383.4 InGaAs/AlGaAs гетероструктуры с квантовыми ямами для широкоформатных матриц, фоточувствительных в спектральном диапазоне 3ч5 мкм А. Л. Дудин, Н. И. Кацавец, Д. М. Красовицкий, С. В. Кокин, В. П. Чалый, И. В. Шуков В настоящей работе представлены результаты исследования фотоэлектрических свойств механически напряженных InGaAs/AlGaAs гетероструктур с квантовыми ямами различной конструкции, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на GaAs подложке и предназначенных для средневолновых инфракрасных широкоформатных фотоприемных матриц, работающих в спектральном диапазоне 3ч5 мкм. <...> Показано, что изменение состава барьерных слоев приводит к существенному сдвигу спектров фоточувствительности таких гетероструктур. <...> Введение Инфракрасные (ИК) фотодетекторы, работающие в «окнах» прозрачности атмосферы 3ч5 мкм и 8ч10 мкм, широко используются в тепловизионных системах целеобнаружения, целеуказания, астрономии, навигации и т.п. <...> . В настоящее время разрабатываются ИК тепловизионные системы нового поколения на основе широкоформатных фотоприемных матриц (ФПМ) [2]. <...> Для средневолнового спектрального диапазона 3ч5 мкм одним из наиболее перспективных материалов для таких систем являются гетероструктуры (ГС) с квантовыми ямами (QWIP ГС) на основе InGaAs/AlGaAs [3]. <...> Принцип фоточувствительности (ФЧ) QWIP ГС основан на «межподзонных» переходах носителей заряда в квантовой яме (КЯ) между двумя уровнями разДудин Анатолий Леонидович, начальник отдела. <...> E-mail: a.dudin@svrost.ru; n.katsavets@svrost.ru; d.krasovitskij@svrost.ru; s.kokin@svrost.ru; v.chaly@svrost.ru; i.shukov@svrost.ru Статья поступила в редакцию 16 ноября 2016 г. © Дудин А. Л., Кацавец Н. И., Красовицкий Д. М., Кокин С. В., Чалый В. П., Шуков И. В., 2016 49 мерного квантования. <...> Несмотря на то, что InGaAs/AlGaAs QWIP ГС механически напряжены, оптимизация их конструкции позволяет выращивать качественные и однородные ГС на GaAs подложке. <...> При этом ФПМ на основе таких ГС могут быть сформированы с помощью стандартных <...>