Прикладная физика, 2016, № 6 ФОТОЭЛЕКТРОНИКА УДК 621.383.4/5:621.315.59 Матричные фотоприемные устройства длинноволнового ИК-диапазона на основе кванторазмерной структуры AlGaAs/GaAs формата 384288 К. О. Болтарь, И. Д. Бурлаков, П. В. Власов, А. А. Лопухин, В. П. Чалый, Н. И. Кацавец Исследованы характеристики матричных фотоприемных устройств на основе QWIP-структур формата 384 288 элементов с шагом 25 мкм. <...> Установлено различие спектральных и вольтамперных характеристик для пластин эпитаксиальных структур QWIP. <...> Наблюдается неоднородность выходного сигнала по площади фоточувствительных элементов с градиентами в различных направлениях. <...> Фотоэлектрические параметры МФПУ сильно зависят от температуры охлаждаемого узла и смещения на фоточувствительном элементе. <...> Эквивалентная шуму разность температур МФПУ составила 30 мК на кадровой частоте 120 Гц при температуре охлаждаемого узла 65 К. <...> Бурлаков Игорь Дмитриевич, зам. ген. директора по инновациям и науке1. <...> Целью данной работы являлось исследование характеристик матричных фотоприемных устройств (МФПУ) на основе QWIP-структур AlGaAs/GaAs формата 384288 элементов с шагом 25 мкм. <...> Экспериментальные исследования В работе измерены фотоэлектрические характеристики МФПУ формата 384288 элементов с шагом 25 мкм на основе AlGaAs/GaAs QWIPгетероструктур, изготовленных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. <...> Статья поступила в редакцию 5 октября 2016 г. © Болтарь К. О., Бурлаков И. Д., Власов П. В., Лопухин А. А., Чалый В. П., Кацавец Н. И., 2016 чувствительных элементов (МФЧЭ) включают в себя следующие процессы: фотолитография; «глубокое» травление с вертикальными (ширина канавки порядка 1 мкм и глубина до 5 мкм) и «пологими» стенками; пассивация поверхности; формирование двумерной дифракционной решетки на поверхности гетероструктуры; изготовление омических контактов; утоньшение и резку пластины на МФЧЭ. <...> Разброс максимума и ширины спектральной чувствительности обусловлены различием состава и толщиной слоев <...>