Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 610204)
Контекстум
Известия высших учебных заведений. Серия "Химия и химическая технология"  / №8 2016

ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОГО НАПРАВЛЕНИЯ СИНТЕТИЧЕСКОГО МОНОКРИСТАЛЛА АЛМАЗА НА КОЭФФИЦИЕНТ ВТОРИЧНОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ (90,00 руб.)

0   0
Первый авторСадовой
АвторыБланк В.Д., Терентьев С.А., Тетерук Д.В., Трощиев С.Ю.
Страниц6
ID560429
АннотацияВ данной работе исследовалась зависимость коэффициента вторичной электронной эмиссии от выбранного кристаллографического направления для синтетического монокристалла алмаза IIb типа, выращенного методом температурного градиента. Данный тип алмаза был выбран из-за широкого применения в алмазной микроэлектронике и полупроводниковых свойств. Проведены количественные измерения коэффициентов вторичной электронной эмиссии (ВЭЭ) при энергиях первичного пучка 7 кэВ и выше для различных кристаллографических направлений: самые высокие показатели коэффициента вторичной электронной эмиссии зафиксированы для направления (100), а также в межростовой области, что подтверждается картиной распределения интенсивности свечения различных секторов кристалла, полученной с помощью детектора истинно-вторичных электронов растрового электронного микроскопа. Кристаллографические направления (111) показали коэффициент вторичной электронной эмиссии в 4- 5 раз ниже по сравнению с (100) и межростовой областью. Коэффициент ВЭЭ для (100): 8,18 при энергии первичного пучка 7 кэВ, 10,13 на 10 кэВ, 49,78 на 30 кэВ. Для межростовой области коэффициент ВЭЭ составляет 10,1 при энергии первичного пучка 7 кэВ, 13,56 при энергии 10 кэВ, 64,41 при 30 кэВ. Кристаллографическое направление (111) показывало коэффициент ВЭЭ в 4‒6 раз меньший по сравнению с (100) и межростовой областью: 2,54 при энергии первичного пучка 7 кэВ, 2,75 при энергии 10 кэВ, 10,03 при 30 кэВ. Обнаружено нестандартное поведение коэффициента вторичной электронной эмиссии в области высоких энергий первичного пучка. На данный момент точного объяснения наблюдаемого явления не предложено, необходимо дальнейшее исследование, но уже полученные результаты открывают возможность развития новых типов устройств и детекторов посредством замены функционального элемента на алмазный, а также делает возможным развитие нового направления в микроэлектронике. Указанные результаты требуют дальнейшего исследования наблюдаемых явлений различными методами структурного и поверхностного анализов.
УДК538.971
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОГО НАПРАВЛЕНИЯ СИНТЕТИЧЕСКОГО МОНОКРИСТАЛЛА АЛМАЗА НА КОЭФФИЦИЕНТ ВТОРИЧНОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ / В.Ю. Садовой [и др.] // Известия высших учебных заведений. Серия "Химия и химическая технология" .— 2016 .— №8 .— С. 22-27 .— URL: https://rucont.ru/efd/560429 (дата обращения: 16.04.2025)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

N 8 Для цитирования: Садовой В.Ю., Бланк В.Д., Терентьев С.А., Тетерук Д.В., Трощиев С.Ю. <...> Исследование влияния кристаллографического направления синтетического монокристалла алмаза на коэффициент вторичной электронной эмиссии. <...> For citation: Sadovoy V.Yu., Blank V.D., Terentiev S.A., Teteruk D.V., Troshchiev S.Yu. <...> Crystallographic orientation influence on secondary electron emission coefficient of a single crystal of synthetic diamond. <...> УДК 538.971 Владимир Юрьевич Садовой ( В.Ю. Садовой, В.Д. Бланк, С.А. Терентьев, Д.В. Тетерук, С.Ю. Трощиев ), Владимир Давыдович Бланк, Сергей Александрович Терентьев, Дмитрий Владимирович Тетерук, Сергей Юрьевич Трощиев Технологический институт сверхтвёрдых и новых углеродных материалов, ул. <...> Центральная, 7а, Троицк, Москва, Российская Федерация, 142190 E-mail: sadovoy.vladimir@gmail.com ( ), vblank@tisnum.ru, s.ter@bk.ru, teterukd@gmail.com, sergey.troschiev@gmail.com ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОГО НАПРАВЛЕНИЯ СИНТЕТИЧЕСКОГО МОНОКРИСТАЛЛА АЛМАЗА НА КОЭФФИЦИЕНТ ВТОРИЧНОЙ ЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ В данной работе исследовалась зависимость коэффициента вторичной электронной эмиссии от выбранного кристаллографического направления для синтетического монокристалла алмаза IIb типа, выращенного методом температурного градиента. <...> Проведены количественные измерения коэффициентов вторичной электронной эмиссии (ВЭЭ) при энергиях первичного пучка 7 кэВ и выше для различных кристаллографических направлений: самые высокие показатели коэффициента вторичной электронной эмиссии зафиксированы для направления (100), а также в межростовой области, что подтверждается картиной распределения интенсивности свечения различных секторов кристалла, полученной с помощью детектора истинно-вторичных электронов растрового электронного микроскопа. <...> Для межростовой области коэффициент ВЭЭ составляет 10,1 при энергии первичного пучка 7 кэВ, 13,56 при энергии 10 кэВ, 64,41 при 30 кэВ. <...> Кристаллографическое направление (111) показывало коэффициент ВЭЭ в 4‒6 раз меньший по сравнению с (100) и межростовой областью: 2,54 при энергии первичного пучка <...>