Основан в 1972 г. Публикуются статьи, посвященные технологическим, физическим и схемотехническим аспектам микро- и наноэлектроники. <...> Особое внимание уделяется новым тенденциям в литографии, травлению, легированию, осаждению и планаризации на субмикронном и нанометровом уровнях, плазменным технологиям, молекулярно-пучковой эпитаксии и сухому травлению, а также методам исследования и контроля поверхностей и многослойных структур. <...> Обсуждаются вопросы приборно-технологического моделирования и диагностики технологических процессов в реальном времени. <...> Публикуются статьи о полупроводниковых приборах на базе новых физических явлений, таких как квантовые размерные эффекты и сверхпроводимость. <...>
Микроэлектроника_№5_2017.pdf
СОДЕРЖАНИЕ
Том 46, номер 5, 2017
МОДЕЛИРОВАНИЕ
Моделирование профиля травления высокоаспектных канавок в Si в хлорной плазме
А. С. Шумилов, И. И. Амиров, В. Ф. Лукичев
Особенности энергетического рельефа прямоугольного магнитного наноострова
О. С. Трушин, Н. И. Барабанова
ПРИБОРЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
Несплавные омические контакты для транзисторов с высокой подвижностью электронов
на гетероструктурах АlGaN/GaN
А. Ю. Павлов, В. Ю. Павлов, Д. Н. Слаповский, С. С. Арутюнян, Ю. В. Федоров, П. П. Мальцев
Влияние резки диском с алмазной режущей кромкой приборных пластин карбида кремния
на технико-эксплуатационные параметры монолитных схем
С. А. Гамкрелидзе, А. А. Трофимов, Н. В. Щаврук
Датчики твердотельных чувствительных элементов на основе силицида иридия
Э. А. Керимов, С. Н. Мусаева
сОрганизация массива памяти многопортовых регистровых файлов, обеспечивающая
нижение потребляемой мощности
Л. А. Соловьева, П. Г. Кириченко
чМалошумящий усилитель для диапазона 57–64 ГГц с заземляющими отверстиями
ерез слой фотолака
Д. В. Крапухин, П. П. Мальцев
Исследование особенностей интеграции элементов энергонезависимой памяти FRAM
c КМОП технологией
О. М. Орлов, Д. Д. Воронов, Р. А. Измайлов, Г. Я. Красников
РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В ЭЛЕМЕНТАХ И СИСТЕМАХ
Моделирование токов утечек SiO2, обусловленных электрическими перегрузками
В. А. Полунин
сМетодика оптимизации малосигнальных параметров монолитных СВЧ-переключателей
игналов на МОП-транзисторах
В. В. Елесин, Г. Н. Назарова, Н. А. Усачев, Г. В. Чуков
Вниманию авторов
393
399
386
380
370
360
348
355
340
323
332
Стр.1