Микроэлектроника (РАН) №4 2017 (916,50 руб.)

СОДЕРЖАНИЕ Номер 4, 2017 КВАНТОВЫЕ КОМПЬЮТЕРЫ Интегрированные алмазные сенсоры с оптическим управлением А. В. Цуканов ПРИБОРЫ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ Влияние особенностей конструкции изолирующей щели открытых “Сэндвич”-структур TiN–SiO2–W и Si–SiO2-W на процесс их электроформовки В. М. Мордвинцев, С. Е. Кудрявцев Расчёт высокочастотной электропроводности тонкого полупроводникового слоя в случае различных коэффициентов зеркальности его поверхностей И. А. Кузнецова, Д. Н. Романов, О. В. Савенко, А. А. Юшканов ПЛАЗМЕННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ Кинетика травления меди в ВЧ-разряде фреона R-12 А. В. Дунаев, Д. Б. Мурин Влияние состава смеси на электрофизические параметры и спектры излучения плазмы CF2Cl2/Ar и CF2Cl2/He С. А. Пивоваренок ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ Оптимизация омических контактов к n-слоям гетеробиполярных наногетероструктур на основе арсенида галлия В. И. Егоркин, В. Е. Земляков, А. <...> В Неженцев, В. И. Гармаш Разработка методики локального легирования и коррекции проводимости эпитаксиальных слоёв PbSnTe путём диффузии индия из поверхностных нанометровых плёнок Д. В. Ищенко, Б. М. Кучумов РАДИАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В ЭЛЕМЕНТАХ И СИСТЕМАХ Диффузионная модель ионизационной реакции элементов БИС при воздействии ТЗЧ А. В. <...> 247–265 КВАНТОВЫЕ КОМПЬЮТЕРЫ УДК 530.145 ИНТЕГРИРОВАННЫЕ АЛМАЗНЫЕ СЕНСОРЫ С ОПТИЧЕСКИМ УПРАВЛЕНИЕМ © 2017 г. А. В. Цуканов Физико-технологический институт Российской АН Россия, 117218, Москва, Нахимовский проспект, 34 E-mail: tsukanov@ftian.ru Поступила в редакцию 2.12.2016 г. Обзор знакомит читателя с особым классом твердотельных высокотехнологичных детекторов внешних полей на основе алмазных микроструктур, содержащих оптически активные дефекты. <...> ВВЕДЕНИЕ Уже почти два десятилетия азотно-вакансионные комплексы – NV-центры – в алмазных материалах всех типов вызывают растущий интерес у многих исследователей [1–3]. <...> В конечном итоге этот подход по сравнению с принципом прямого управления и наблюдения флуоресценции посредством конфокальной <...>