Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 582725)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Известия высших учебных заведений. Электроника

Известия высших учебных заведений. Электроника №3 2017 (550,00 руб.)

0   0
Страниц105
ID544492
Аннотация На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Известия высших учебных заведений. Электроника .— Москва : Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" .— 2017 .— №3 .— 105 с. : ил. — URL: https://rucont.ru/efd/544492 (дата обращения: 26.05.2022)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Определение концентрации свободных электронов в n-InSb по спектрам отражения в дальней инфракрасной области с учетом плазмон-фононного взаимодействия . <...> Исследование и разработка реактора эпитаксиального наращивания для индивидуальной обработки подложек . <...> Закономерности изменения внешней квантовой эффективности InGaN/GaN зеленых светодиодов в процессе ускоренных испытаний . <...> Приборно-технологическое моделирование ВАХ и зарядового состояния КНИ полевого датчика Холла . <...> Электроника”, 2017 © МИЭТ, 2017 метров схемы удвоителя напряжения на переключаемых емкостях . <...> Особенности проектирования устройств цифровой обработки сигналов в базисе ПЛИС серии 5578 . <...> Решение задач трассировки межсоединений с ресинтезом для реконфигурируемых систем на кристалле . <...> Исследование коэффициента жесткости кремниевых балок микромеханических резонансных акселерометров . <...> Умножитель частоты высокой кратности с СВЧ-ключом, интегрированным в полосно-пропускающие фильтры . <...> Determination of Free Electron Concentration in n-InSb by Far Infrared Reflection Spectra with Account of PlasmaPhonon Coupling . <...> Regularities of Change of External Quantum Efficiency of InGaN/GaN Green Light Emitting Diodes in Accelerated Testing Process . <...> The journal is printed at the printing workshop of the MIET 124498, Russia, Moscow, Zelenograd, Bld. <...> Specific Features of Designing Digital Signal Processing Devices in FPGA Basis of 5578 Series . <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 3 2017 МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОНИКИ ELECTRONICS MATERIALS УДК 621.315.592 DOI: 10.214151/1561-5405-2017-22-3-201-210 Определение концентрации свободных электронов в n-InSb по спектрам отражения в дальней инфракрасной области с учетом плазмон-фононного взаимодействия И. <...> Лысенко3 1Московский технологический университет, г. Москва, Россия 2АО «Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «Гиредмет», г. Москва, Россия 3Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», г. Москва, Россия aplysenko@hse.ru Бесконтактный неразрушающий метод дает возможность определять концентрацию свободных электронов в образцах антимонида индия InSb по спектрам отражения в дальней инфракрасной <...>
Известия_высших_учебных_заведений._Электроника_№3_2017.pdf
Известия высших учебных заведений ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 3 Учредители: Министерство образования и науки Российской Федерации Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Главный редактор Чаплыгин Ю.А., академик РАН, д.т.н., проф. Зам. главного редактора Гаврилов С.А., д.т.н., проф. Редакционная коллегия: Бархоткин В.А., д.т.н., проф. Бахтин А.А., канд. т. н., доц. Быков Д.В., д.т.н., проф. Горбацевич А.А., чл.-корр. РАН, д.ф.-м.н., проф. Грибов Б.Г., чл.-корр. РАН, д.х.н., проф. Казённов Г.Г., д.т.н., проф. Коноплёв Б.Г., д.т.н., проф. Коркишко Ю.Н., д.ф.-м.н., проф. Королёв М.А., д.т.н., проф. Красников Г.Я., акад. РАН, д.т.н., проф. Кубарев Ю.В., д.ф.-м.н., проф. Лабунов В.А., акад. НАН Беларуси, акад. РАН, д.т.н., проф. Максимов И.А., PhD, проф. Лундского университета (Швеция) Меликян В.Ш., чл.-корр. НАН Армении, д.т.н., проф. Неволин В.К., д.ф.-м.н., проф. Неволин В.Н., д.ф.-м.н., проф. Петросянц К.О., д.т.н., проф. Сазонов А.Ю., PhD, проф. Университета Ватерлоо (Канада) Сауров А.Н., акад. РАН, д.т.н., проф. Селищев С.В., д.ф.-м.н., проф. Сигов А.С., акад. РАН, д.ф.-м.н., проф. Таиров Ю.М., д.т.н., проф. Телец В.А., д.т.н., проф. Тимошенков С.П., д.т.н., проф. Усанов Д.А., д.ф.-м.н., проф. СОДЕРЖАНИЕ Материалы электроники Белова И.М., Белов А.Г., Каневский В.Е., Лысенко А.П. Определение концентрации свободных электронов в n-InSb по спектрам отражения в дальней инфракрасной области с учетом плазмон-фононного взаимодействия .......................................................................................... 201 Технологические процессы и маршруты Кравченко А.А., Погалов А.И. Исследование и разработка реактора эпитаксиального наращивания для индивидуальной обработки подложек ........................................ 211 Элементы интегральной электроники Сергеев В.А., Фролов И.В., Широков А.А., Радаев О.А. Закономерности изменения внешней квантовой эффективности InGaN/GaN зеленых светодиодов в процессе ускоренных испытаний ........................................................ 220 Королёв М.А., Козлов А.В., Красюков А.Ю., Девликанова С.С. Приборно-технологическое моделирование ВАХ и зарядового состояния КНИ полевого датчика Холла ....................................................................... 231 Панышев К.А., Парменов Ю.А. Чувствительность к тиристорному эффекту КМОП-структуры с глубоким изолирующим n-карманом ................................................... 238 Схемотехника и проектирование Разуваев Ю.Ю. Расчет переходных процессов и пара© “Известия вузов. Электроника”, 2017 © МИЭТ, 2017 метров схемы удвоителя напряжения на переключаемых емкостях ................................................................................. 247 2017 май–июнь Научно-технический журнал Издается с 1996 г. Выходит 6 раз в год
Стр.2
Заведующая редакцией С.Г. Зверева Редактор А.В. Тихонова Научный редактор С.Г. Зверева Корректор И.В. Проскурякова Верстка А.Ю. Рыжков С.Ю. Рыжков Адрес редакции: 124498, Россия г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1, МИЭТ Тел.: 8-499-734-6205 Е-mail: magazine@miee.ru http://www.miet.ru Подписано в печать 05.06.2017. Формат бумаги 6084 1/8. Цифровая печать. Объем 12,09 усл.печ.л., 10,768 уч.-изд.л. Тираж 150 экз. Заказ 13. Свободная цена. Отпечатано в типографии ИПК МИЭТ 124498, Россия, г. Москва, г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1, МИЭТ Свидетельство о регистрации № 014134 выдано Комитетом РФ по печати 12.10.95. Включен в Перечень рецензируемых научных изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертаций на соискание ученой степени кандидата наук, на соискание ученой степени доктора наук. Включен в Российский индекс научного цитирования и в Рейтинг Science Index. Включен в Russian Science Citation Index на платформе Web of Science. Строгонов А.В., Городков П.С. Особенности проектирования устройств цифровой обработки сигналов в базисе ПЛИС серии 5578 ......................................................... 256 Гаврилов С.В., Железников Д.А., Хватов В.М. Решение задач трассировки межсоединений с ресинтезом для реконфигурируемых систем на кристалле ......................... 266 Микро- и наносистемная техника Аунг Тхура, Симонов Б.М., Тимошенков С.П. Исследование коэффициента жесткости кремниевых балок микромеханических резонансных акселерометров ........... 276 Интегральные радиоэлектронные устройства Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Григорьев Д.В. Умножитель частоты высокой кратности с СВЧ-ключом, интегрированным в полосно-пропускающие фильтры ........................................... 285 Вацков П.Ю. Анализ нормируемых параметров электромагнитной совместимости блоков бортовой аппаратуры малых космических аппаратов .................................. 292 К сведению авторов ............................................................ 299 198 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 3 2017
Стр.3
Proceedings of Universities. ELECTRONICS Founders: The Ministry of Education and Science of the Russian Federation The National Research University of Electronic Technology Editor-in-Chief Chaplygin Yu.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof., Acad. RAS Deputy Editor-in-Chief Gavrilov S.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Editorial Board: Barkhotkin V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Bahtin A.A., Cand. Sci. (Tech.) Bykov D.V., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Gorbatsevich A.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., Cor. Mem. RAS Gribov B. G., Dr. Sci. (Chem.), Prof. Kazennov G.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Konoplev B.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Korkishko Yu.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Korolev M.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Krasnikov G.Ya., Dr. Sci. (Tech.), Prof., Acad. RAS Kubarev Yu.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Labunov V.A. (Belorussia), Dr. Sci. (Tech.), Prof., Acad. NAS, Acad. RAS Maksimov I.A. (Sweden), PhD, Prof. of Lund University Melikyan V.Sh. (Armenia), Dr. Sci. (Tech.), Prof., Cor. Mem. NAS Nevolin V.K., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. Nevolin V.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof. Petrosyantz K.O., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Sazonov A.Yu. (Canada), PhD, Prof. of University of Waterloo Saurov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof., Acad. RAS Selishchev S.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof. Sigov A.S., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof., Acad. RAS Tairov Yu.M., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Telets V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Timoshenkov S.P., Dr. Sci. (Tech.), Prof. Usanov D.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof. CONTENTS Electronics materials Belova I.M., Belov A.G., Kanevsky V.E., Lysenko A.P. Determination of Free Electron Concentration in n-InSb by Far Infrared Reflection Spectra with Account of PlasmaPhonon Coupling .................................................................... 201 Technological processes and routes Kravchenko A.A., Pogalov A.I. Research and Development of Single-Wafer Epitaxial Reactor ................................. 211 Integrated electronics elements Sergeev V.A., Frolov I.V., Shirokov A.A., Radaev O.A. Regularities of Change of External Quantum Efficiency of InGaN/GaN Green Light Emitting Diodes in Accelerated Testing Process ....................................................................... 220 Korolev M.A., Kozlov A.V., Krasukov A.Y., Devlikanova S.S. Instrument-Process Simulation of CurrentVoltage Characteristics and Charge State of SOI FieldEffect Hall Sensor ................................................................... 231 Panyshev K.A., Parmenov Y.A. Sensitivity to Thyristor Effect of CMOS Structure with Deep Insulating N-Well ........... 238 Circuit engineering and design Razuvaev Yu.Yu. Calculation of Transient Processes and © “Proceedings of Universities. Electronics”, 2017 © MIET, 2017 Parameters of Scheme of Voltage Doubler Based on Switched Capacitances ........................................................................... 247 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 3 2017 199 Volume 22 N 3 2017 May–June The scientific-technical journal Published since 1996 Published 6 times per year
Стр.4
Head of editorial staff Zvereva S.G. Chief editors Tikhonova A.V., Proskuryakova I.V. Make-up Ryzhkov S.Yu. Ryzhkov A.Yu. Address: 124498, Russia, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET, editorial office of the Journal «Proceedings of universities. Electronics» Tel.: +7-499-734-62-05 E-mail: magazine@miee.ru http://www.miet.ru Signed to print 05.06.2017. Sheet size 6084 1/8. Digital printing. Conventional printed sheets 12,09. Number of copies 150. Order no. 13. Free price. The journal is printed at the printing workshop of the MIET 124498, Russia, Moscow, Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square, MIET The registration certificate No.014134 was given by RF Press Committee on 12.10.95. The journal is included into the List of reviewed scientific publications, in which the main scientific results of thesis for candidate of science and doctor degrees must be published. The journal is included into the Russian index of scientific citing and into the Rating Science Index. The journal is included into the Russian Science Citation Index on the Web of Science basis. Strogonov A.V., Gorodkov P.S. Specific Features of Designing Digital Signal Processing Devices in FPGA Basis of 5578 Series ............................................................................. 256 Gavrilov S.V., Zheleznikov D.A., Khvatov V.M. Solution of Interconnect Trace Tasks with Resynthesis for Reconfigurable Systems-on-Chip ........................................................... 266 Micro- and nanosystem technology Aung Thura, Simonov B.M., Timoshenkov S.P. Study on Rigidity Coefficient of Silicon Beams of Micromechanical Resonance Accelerometers .................................................... 276 Integrated radioelectronic devices Usanov D.A., Skripal A.V., Posadsky V.N., Tyazhlov V.S., Grigoriev D.V. High Multiplicity Frequency Multiplier with Microwave-Switch Integrated into Bandpass Filters .............. 285 Vatskov P.Yu. Analysis of Requirements for the Control of Electromagnetic Interference Characteristics of Small Space Vehicles’ Equipment ............................................................. 292 200 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 3 2017
Стр.5