Известия высших учебных
заведений
ЭЛЕКТРОНИКА
Том 22 № 3
Учредители:
Министерство
образования и науки
Российской Федерации
Национальный
исследовательский
университет «МИЭТ»
Главный редактор
Чаплыгин Ю.А., академик РАН,
д.т.н., проф.
Зам. главного редактора
Гаврилов С.А., д.т.н., проф.
Редакционная коллегия:
Бархоткин В.А., д.т.н., проф.
Бахтин А.А., канд. т. н., доц.
Быков Д.В., д.т.н., проф.
Горбацевич А.А., чл.-корр. РАН,
д.ф.-м.н., проф.
Грибов Б.Г., чл.-корр. РАН,
д.х.н., проф.
Казённов Г.Г., д.т.н., проф.
Коноплёв Б.Г., д.т.н., проф.
Коркишко Ю.Н., д.ф.-м.н., проф.
Королёв М.А., д.т.н., проф.
Красников Г.Я., акад. РАН,
д.т.н., проф.
Кубарев Ю.В., д.ф.-м.н., проф.
Лабунов В.А., акад. НАН Беларуси,
акад. РАН, д.т.н., проф.
Максимов И.А., PhD, проф.
Лундского университета
(Швеция)
Меликян В.Ш., чл.-корр. НАН Армении,
д.т.н., проф.
Неволин В.К., д.ф.-м.н., проф.
Неволин В.Н., д.ф.-м.н., проф.
Петросянц К.О., д.т.н., проф.
Сазонов А.Ю., PhD, проф.
Университета Ватерлоо
(Канада)
Сауров А.Н., акад. РАН, д.т.н., проф.
Селищев С.В., д.ф.-м.н., проф.
Сигов А.С., акад. РАН,
д.ф.-м.н., проф.
Таиров Ю.М., д.т.н., проф.
Телец В.А., д.т.н., проф.
Тимошенков С.П., д.т.н., проф.
Усанов Д.А., д.ф.-м.н., проф.
СОДЕРЖАНИЕ
Материалы электроники
Белова И.М., Белов А.Г., Каневский В.Е., Лысенко А.П.
Определение концентрации свободных электронов
в n-InSb по спектрам отражения в дальней инфракрасной
области с учетом плазмон-фононного взаимодействия
.......................................................................................... 201
Технологические процессы и маршруты
Кравченко А.А., Погалов А.И. Исследование и разработка
реактора эпитаксиального наращивания для индивидуальной
обработки подложек ........................................ 211
Элементы интегральной электроники
Сергеев В.А., Фролов И.В., Широков А.А., Радаев О.А.
Закономерности изменения внешней квантовой эффективности
InGaN/GaN зеленых светодиодов в процессе
ускоренных испытаний ........................................................ 220
Королёв М.А., Козлов А.В., Красюков А.Ю.,
Девликанова С.С. Приборно-технологическое моделирование
ВАХ и зарядового состояния КНИ полевого
датчика Холла ....................................................................... 231
Панышев К.А., Парменов Ю.А. Чувствительность к
тиристорному эффекту КМОП-структуры с глубоким
изолирующим n-карманом ................................................... 238
Схемотехника и проектирование
Разуваев Ю.Ю. Расчет переходных процессов и пара©
“Известия вузов.
Электроника”, 2017
© МИЭТ, 2017
метров схемы удвоителя напряжения на переключаемых
емкостях ................................................................................. 247
2017 май–июнь
Научно-технический журнал
Издается с 1996 г.
Выходит 6 раз в год
Стр.2
Заведующая редакцией
С.Г. Зверева
Редактор
А.В. Тихонова
Научный редактор
С.Г. Зверева
Корректор
И.В. Проскурякова
Верстка
А.Ю. Рыжков
С.Ю. Рыжков
Адрес редакции: 124498, Россия
г. Москва, г. Зеленоград,
пл. Шокина, д. 1, МИЭТ
Тел.: 8-499-734-6205
Е-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru
Подписано в печать 05.06.2017.
Формат бумаги 6084 1/8.
Цифровая печать.
Объем 12,09 усл.печ.л.,
10,768 уч.-изд.л.
Тираж 150 экз.
Заказ 13.
Свободная цена.
Отпечатано
в типографии ИПК МИЭТ
124498, Россия, г. Москва,
г. Зеленоград, пл. Шокина, д. 1, МИЭТ
Свидетельство о регистрации
№ 014134
выдано Комитетом РФ по печати
12.10.95.
Включен в Перечень рецензируемых
научных изданий, в которых
должны быть опубликованы основные
научные результаты диссертаций
на соискание ученой степени кандидата
наук, на соискание ученой степени
доктора наук.
Включен в Российский индекс
научного цитирования и в Рейтинг
Science Index.
Включен в Russian Science Citation
Index на платформе Web of Science.
Строгонов А.В., Городков П.С. Особенности проектирования
устройств цифровой обработки сигналов в базисе
ПЛИС серии 5578 ......................................................... 256
Гаврилов С.В., Железников Д.А., Хватов В.М. Решение
задач трассировки межсоединений с ресинтезом для
реконфигурируемых систем на кристалле ......................... 266
Микро- и наносистемная техника
Аунг Тхура, Симонов Б.М., Тимошенков С.П. Исследование
коэффициента жесткости кремниевых балок
микромеханических резонансных акселерометров ........... 276
Интегральные радиоэлектронные устройства
Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н.,
Тяжлов В.С., Григорьев Д.В. Умножитель частоты высокой
кратности с СВЧ-ключом, интегрированным в полосно-пропускающие
фильтры ........................................... 285
Вацков П.Ю. Анализ нормируемых параметров электромагнитной
совместимости блоков бортовой аппаратуры
малых космических аппаратов .................................. 292
К сведению авторов ............................................................ 299
198
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 3 2017
Стр.3
Proceedings of Universities.
ELECTRONICS
Founders:
The Ministry
of Education and Science
of the Russian Federation
The National
Research University
of Electronic Technology
Editor-in-Chief
Chaplygin Yu.A., Dr. Sci. (Tech.),
Prof., Acad. RAS
Deputy Editor-in-Chief
Gavrilov S.A., Dr. Sci. (Tech.),
Prof.
Editorial Board:
Barkhotkin V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Bahtin A.A., Cand. Sci. (Tech.)
Bykov D.V., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Gorbatsevich A.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.),
Prof., Cor. Mem. RAS
Gribov B. G., Dr. Sci. (Chem.), Prof.
Kazennov G.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Konoplev B.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Korkishko Yu.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Korolev M.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Krasnikov G.Ya., Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Acad. RAS
Kubarev Yu.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Labunov V.A. (Belorussia),
Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Acad. NAS, Acad. RAS
Maksimov I.A. (Sweden), PhD, Prof.
of Lund University
Melikyan V.Sh. (Armenia), Dr. Sci. (Tech.),
Prof., Cor. Mem. NAS
Nevolin V.K., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Nevolin V.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof.
Petrosyantz K.O., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Sazonov A.Yu. (Canada), PhD,
Prof. of University of Waterloo
Saurov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Acad. RAS
Selishchev S.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof.
Sigov A.S., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.,
Acad. RAS
Tairov Yu.M., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Telets V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Timoshenkov S.P., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Usanov D.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
CONTENTS
Electronics materials
Belova I.M., Belov A.G., Kanevsky V.E., Lysenko A.P.
Determination of Free Electron Concentration in n-InSb by
Far Infrared Reflection Spectra with Account of PlasmaPhonon
Coupling .................................................................... 201
Technological processes and routes
Kravchenko A.A., Pogalov A.I. Research and Development
of Single-Wafer Epitaxial Reactor ................................. 211
Integrated electronics elements
Sergeev V.A., Frolov I.V., Shirokov A.A., Radaev O.A.
Regularities of Change of External Quantum Efficiency of
InGaN/GaN Green Light Emitting Diodes in Accelerated
Testing Process ....................................................................... 220
Korolev M.A., Kozlov A.V., Krasukov A.Y.,
Devlikanova S.S. Instrument-Process Simulation of CurrentVoltage
Characteristics and Charge State of SOI FieldEffect
Hall Sensor ................................................................... 231
Panyshev K.A., Parmenov Y.A. Sensitivity to Thyristor Effect
of CMOS Structure with Deep Insulating N-Well ........... 238
Circuit engineering and design
Razuvaev Yu.Yu. Calculation of Transient Processes and
© “Proceedings of Universities.
Electronics”, 2017
© MIET, 2017
Parameters of Scheme of Voltage Doubler Based on Switched
Capacitances ........................................................................... 247
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 3 2017
199
Volume 22 N 3
2017 May–June
The scientific-technical journal
Published since 1996
Published 6 times per year
Стр.4
Head of editorial staff
Zvereva S.G.
Chief editors
Tikhonova A.V.,
Proskuryakova I.V.
Make-up
Ryzhkov S.Yu.
Ryzhkov A.Yu.
Address: 124498, Russia, Moscow,
Zelenograd, Bld. 1, Shokin Square,
MIET, editorial office of the Journal
«Proceedings of universities. Electronics»
Tel.: +7-499-734-62-05
E-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru
Signed to print 05.06.2017.
Sheet size 6084 1/8.
Digital printing.
Conventional printed sheets 12,09.
Number of copies 150.
Order no. 13.
Free price.
The journal is printed at the printing
workshop of the MIET
124498, Russia, Moscow, Zelenograd,
Bld. 1, Shokin Square, MIET
The registration certificate No.014134
was given by RF Press Committee
on 12.10.95.
The journal is included into the List
of reviewed scientific publications,
in which the main scientific results
of thesis for candidate of science and
doctor degrees must be published.
The journal is included into the Russian
index of scientific citing and into the
Rating Science Index.
The journal is included into the Russian
Science Citation Index on the Web
of Science basis.
Strogonov A.V., Gorodkov P.S. Specific Features of Designing
Digital Signal Processing Devices in FPGA Basis of
5578 Series ............................................................................. 256
Gavrilov S.V., Zheleznikov D.A., Khvatov V.M. Solution
of Interconnect Trace Tasks with Resynthesis for Reconfigurable
Systems-on-Chip ........................................................... 266
Micro- and nanosystem technology
Aung Thura, Simonov B.M., Timoshenkov S.P. Study on
Rigidity Coefficient of Silicon Beams of Micromechanical
Resonance Accelerometers .................................................... 276
Integrated radioelectronic devices
Usanov D.A., Skripal A.V., Posadsky V.N., Tyazhlov V.S.,
Grigoriev D.V. High Multiplicity Frequency Multiplier with
Microwave-Switch Integrated into Bandpass Filters .............. 285
Vatskov P.Yu. Analysis of Requirements for the Control of
Electromagnetic Interference Characteristics of Small Space
Vehicles’ Equipment ............................................................. 292
200
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 22 № 3 2017
Стр.5