ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ УГЛЕРОДА В АКТИВНОЙ БАЗЕ НА БЫСТРОДЕЙСТВИЕ SIGE ГБТ (154,00 руб.)

УДК 538.915+621.382.333.33 Численное моделирование влияния углерода в активной базе на быстродействие SiGe ГБТ В.Д. <...> Чаплыгин1 1Национальный исследовательский университет «МИЭТ» 2НПК «Технологический центр» (г. Москва) Numerical Modeling of Carbon Effect in Active Base on RF Performance of SiGe HBT V.D. <...> Chaplygin1 1National Research University of Electronic Technology, Moscow 2SMC «Technological Center», Moscow Рассмотрен механизм влияния примесного углерода на диффузию бора базы n p n кремний-германиевого гетеропереходного биполярного транзистора. <...> Приведены зависимости электрофизических показателей структуры в зависимости от концентрации углерода. <...> Показано, что при концентрации углерода выше 1∙1020 см3 наблюдается уменьшение времени жизни носителей заряда в базе, что не приводит к уменьшению граничной и максимальной частот гетеропереходного биполярного транзистора, поскольку диффузия бора снижается в большей степени и определяет время пролета электронов через электронейтральную базу. <...> Ключевые слова: кремний-германиевый гетеропереходный биполярный транзистор (SiGeC ГБТ); углерод; быстродействие. <...> The mechanism of the impurity carbon on boron diffusion of the n–p–n SiGe HBT’s base has been considered. <...> It has been shown, that at the carbon concentrations exceeding 1· 1020 cm–3 a charge carriers lifetime decline has been observed, but this does not result in the decrease of the cut-off frequency and maximum HBT oscillation frequency, because of the less intensive boron diffusion, determining the neutral base transient time. <...> Среди радиочастотных приборов на основе кремния один из наиболее перспективных кремний-германиевый гетеропереходный биполярный транзистор (SiGeС ГБТ). <...> В процессе формирования npn ГБТ в составе БиКМОП-схем структура прибора подвергается значительной термической обработке, в результате чего происходит нежелательная диффузия бора в области базы, снижающая усилительные свойства транзистора и его быстродействие. <...> Один из способов снижения указанного эффекта  введение углерода в слой SiGe с долей менее <...>