КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ BRIEF REPORTS УДК 53.072:621.315.592 Расчет полос роста в многокомпонентных кристаллах при выращивании методом Бриджмена В.А. <...> Гончаров, А.В. Васильев Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Calculation of Growth Striations in Multicomponent Crystals while Growing by Bridgeman Method V.A. <...> Vasiliev National Research University of Electronic Technology, Moscow Моделируется процесс выращивания полупроводниковых кристаллов методом Бриджмена c учетом нестационарных воздействий, обусловленных технологическим оборудованием. <...> Проводится сравнение величины микронеоднородности в кристалле с учетом и без учета особенностей многокомпонентности системы. <...> The model of the process of growing semiconductor crystals by the Bridgeman method with taking into account the non-stationary effect from the technological equipment side has been presented. <...> Результаты экспериментов по выращиванию кристаллов полупроводников и полупроводниковых соединений показывают, что вертикальный метод Бриджмена при условии незначительности конвекции позволяет получать кристаллы с высоким структурным совершенством. <...> Однако нестационарные воздействия со стороны оборудования приводят к флуктуациям температуры и нарушают технологический процесс. <...> Флуктуации приводят к образованию микроскопических неоднородностей состава кристалла, или полос роста, что оказывает негативное влияние на характеристики полупроводниковых приборов [1]. <...> Математическое моделирование процесса кристаллизации полупроводниковых кристаллов проводится, как правило, на основе численного решения двухфазной задачи Стефана совместно с решением нелинейной системы уравнений Навье–Стокса в расплаве [2, 3]. <...> Так, в работе [2] рассмотрена модель роста кристаллов с учетом погрешности поддержания температуры на нагревателях ΔT от 0,01 до 1 К и неравномерности перемещения тигля с шагом Δh от 0,1 до 50 мкм, что соответствует параметрам ростовых установок на практике. <...> По результатам расчетов сформулированы требования к ростовым установкам для получения необходимых значе В.А. Гончаров, А.В. Васильев, 2016 380 <...>