СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ КОМБИНИРОВАННЫХ МЕТОДОВ ПОВЫШЕНИЯ СБОЕ- И ОТКАЗОУСТОЙЧИВОСТИ БЛОКОВ СТАТИЧЕСКОЙ ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ (154,00 руб.)

УДК 004.052.2 Сравнительный анализ комбинированных методов повышения сбое- и отказоустойчивости блоков статической оперативной памяти И.И. Шагурин, Л.А. Щигорев ЗАО Научно-технический центр «Модуль» (г. Москва) Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» Comparative Analysis of Fault Tolerance Increasing Combined Methods for SRAM I.I. <...> Предложены варианты комбинированного использования контроля четности, корректирующих кодов, введения резервных колонок запоминающих элементов. <...> На примере проектирования блока статического ОЗУ емкостью 4К128 бит, изготовленного по 28-нм технологии, получены количественные оценки технических характеристик блоков памяти, разработанных с применением этих методов. <...> Результаты проведенных исследований могут быть использованы при разработке встроенных блоков памяти для применения в составе сбоеустойчивых систем на кристалле. <...> Ключевые слова: сбое- и отказоустойчивость; статическое ОЗУ (СОЗУ); контроль четности; корректирующие коды; самотестирование и самовосстановление; резервные элементы памяти; система на кристалле (СнК). <...> The abilities of using various methods for fault tolerance increasing of static random access memory (SRAM) have been considered. <...> Keywords: fault tolerance; SRAM; parity check; error detection and correction (EDAC); built-in self test (BIST); built-in self repair (BISR); redundant elements; system on chip (SoC). <...> Одной из наиболее важных задач при проектировании электронных систем является обеспечение надежности и достоверности хранения и передачи информации (команд, адресов, данных). <...> Особое значение решение этой задачи имеет при использовании микросхем, содержащих встроенную память. <...> Ячейки памяти, реализованные с помощью этой технологии, характеризуются повышенной чувствительностью к воздействию таких внешних факторов, как попадание тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ), которые вызывают возникновение сбоев и отказов [1, 2]. <...> Цель настоящей работы – исследование аппаратурных и временных затрат при комбинированном использовании в проектируемых блоках статической оперативной памяти различных методов <...>