УДК 538.956 Модель эффекта переключения электрической проводимости в структурах резистивной памяти на основе нестехиометрического оксида кремния П.С. Захаров, А.Г. Итальянцев АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники» (г. Москва) Electrical Conductivity Switching Model for Resistive Memory Devices Based on Silicon Oxide P.S. <...> Различия состоят в структуре каналов проводимости, а также в механизме их образования и разрушения. <...> Эффект переключения электрической проводимости в структурах резистивной памяти (ReRAM) на основе SiO2 успешно объясняется с позиций рассмотрения SiOx как пересыщенного твердого раствора кремния в SiO2. <...> Модель переключения ReRAM SiOx базируется на процессах разрыва кремниевых связей под действием электрического поля и их восстановления вследствие термического отжига. <...> Two different effects of silicon oxide electrical conductivity switching have been considered. <...> The effect of switching ReRAM based on SiO2 has been explained from point of view of SiO2 consideration as a supersaturated solid silicon solution in SiO2. <...> SiOx ReRAM switching model is based on the field driven silicon bond breakage and their recovery due to thermal annealing. <...> В основе принципа работы резистивной памяти (Resistive Random Access Memory, ReRAM) лежит эффект обратимого переключения электрической проводимости. <...> Наибольший интерес представляет резистивная память на основе оксида кремния [1], так как она полностью совместима с технологическим процессом кремниевой микроэлектроники и имеет большой «разнос» логических уровней («окно памяти»). <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 4 2016 309 П.С. Захаров, А.Г. Итальянцев Изучение эффекта переключения проводимости началось на структурах с активным слоем в виде стехиометрического оксида кремния SiO2 [2]. <...> Однако для успешной работы таких структур необходима предварительная процедура – электроформовка в вакууме, что существенно снижает прикладной интерес к ReRAM SiO2. <...> Тем не менее экспериментально установлено, что в результате электроформовки вблизи вакуумированной поверхности активного слоя, предположительно имеющей нарушенную стехиометрию [2], появляются <...>