Композиты и наноструктуры COMPOSITES and NANOSTRUCTURES 620-22:546-4 ПОЛУЧЕНИЕ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ПОКРЫТИЙ SnO2 ЧЕРЕЗ НОВЫЕ ЛЕТУЧИЕ ПРЕКУРСОРЫ МЕТОДОМ APCVD С ИНДУКЦИОННЫМ НАГРЕВОМ (поступила в редакцию 16.04.2012, принята к печати 20.04.2012) В.С.Попов, В.Г.Севастьянов, Н.Т.Кузнецов Институт общей и неорганической химии им. <...> Н.С.Курнакова РАН, Москва ния использованы в качестве новых прекурсоров покрытий диоксида олова в химическом парофазном осаждении при атмосферном давлении (APCVD) на установке с индукционным нагревом в зоне деструкции. <...> Полученные покрытия охарактеризованы комплексом физико-химических методов анализа. <...> Исследована взаимосвязь морфологии покрытий и использовавшихся прекурсоров. <...> Ключевые слова: CVD, диоксид олова, летучие соединения олова Выполнены синтез и идентификация четырех летучих координационных соединений олова: [Sn(АсАс)2 Cl2 ], [Sn(Н2 О)2 Cl4 ]·18К6, [Sn(18К6)Cl4 ], [Sn(Н2 О)2 Cl4 NEW VOLATILE PRECURSORS BY APСVD WITH INDUCTION HEATING V.S.Popov, V.G.Sevastynov, N.T.Kuznetsov SYNTHESIS OF NANOSTRUCTURED SnO2 [Sn(Н2 ]·15К5 were synthesized and identify. <...> Synthesized compounds were used as new precursors for tin dioxide coatings in atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) at the facility with induction heating in destruction zone. <...> The coatings were characterized with physicochemical methods of analysis. <...> Relationship of coatings morphology and precursors was investigated. <...> Key words: CVD, tin dioxide, volatile tin compounds Kurnakov Institute of General and Inorganic Chemistry of the Russian Academy of Sciences, Moscow In this paper four volatile tin coordination compounds [Sn(АсАс)2 О)2 Cl4 Cl2 ], [Sn(Н2 О)2 Cl4 ]·18К6, [Sn(18К6)Cl4 1. <...> Наиболее важными для хемосенсорики являются: удобство управления параметрами получаемых пленок, возможность нанесения покрытий на подложки со сложной топографией, высокая чистота получаемого покрытия и возможность получения материала с высокой удельной поверхностью. <...> Использование наноструктурированных <...>