Семенова, Т. П. Сушкова Воронежский государственный университет Поступила в редакцию 12.03.10 г. Аннотация. <...> На основании расчета температурно-концентрационной зависимости свободной энергии Гиббса смешения установлено, что в системе InAs — InSb критическая температура области распада составляет ~ 773 К. <...> Методами рентгенофазового анализа и локального рентгеноспектрального микроанализа подтверждено, что однородные твердые растворы в системе InAs — InSb существуют при 300 К только при содержании арсенида индия более 95 мол. % и менее 6 мол. <...> %. Ключевые слова: распад твердых растворов, критическая температура, свободная энергия Гиббса смешения. <...> Проблема термодинамической стабильности полупроводниковых сплавов становится все более значимой в связи с тем, что большинство твердых растворов являются неустойчивыми в некотором диапазоне составов и температур. <...> Твердый раствор в области неустойчивости стремится уменьшить свою свободную энергию в результате распада, т.е. фазового преобразования, которое приводит к нарушению макроскопической однородности кристаллов и образованию смеси фаз разного состава. <...> С другой стороны, как известно, распад твердых растворов может в отдельных случаях оказывать благоприятное влияние на свойства, например, в случае дисперсионного упрочнения [1] или при получении наноструктурированного состояния [2]. <...> Однако, вне зависимости от требуемого результата, при создании материалов на основе компонентов, образующих твердые растворы, необходимо знать фазовую диаграмму системы в широком диапазоне температур. <...> Области несмешиваемости и нестабильности, существующие во многих тройных и почти всех четырехкомпонентных твердых растворах на основе АIII BV , существенным образом ограничивают диапазон составов, которые могут быть использованы для создания приборов. <...> Проблема устойчивости твердых растворов на BV основе соединений AIII 40 исследовалась теорети© Семенова Г. В., Сушкова Т. П., 2010 <...>