Семенова, Т. П. Сушкова Воронежский государственный университет Поступила в редакцию 6.09.12 г. Аннотация. <...> На основании экспериментального исследования методом рентгенофазового анализа установлено, что в системе InP — InAs — InSb при комнатной температуре однородными являются лишь твердые растворы с содержанием арсенида индия более 90 мол. <...> %. Методом дифференциальнотермического анализа построены диаграммы ряда политермических сечений и показано, что эвтектический разрыв растворимости замыкается внутри фазовой диаграммы при температуре ~820 К. <...> Представлена Т–х–у диаграмма квазитройной системы InP — InAs — InSb. <...> ВВЕДЕНИЕ основе соединений АIII Многокомпонентные твердые растворы на BV широко применяются в полупроводниковой электронике. <...> Однако для ряда квазибинарных и квазитройных систем характерно наличие областей нестабильности твердых растворов. <...> Экспериментально потеря термодинамической стабильности в многокомпонентных твердых растворах проявляется как деградация свойств материалов и устройств, изготовленных на их основе. <...> Информация о координатах областей разрыва растворимости компонентов в твердой фазе является чрезвычайно важной, поскольку несмешиваемость и нестабильность могут оказаться серьезными препятствиями при получени полупроводников с заданными свойствами. <...> До настоящего времени вопрос о координатах температурно-концентрационных областей растворимости и стабильности остается открытым, поскольку в литературе имеет место значительный разброс значений критических температур и концентраций, полученных в результате использования различных моделей и методов исследования. <...> Целью настоящей работы является построение Т–х–у проекции фазовой диаграммы квазитройной системы InP — InAs — InSb на основании данных рентгенофазового и дифференциально-термического анализа. <...> © Семенова Г. В., Сушкова Т. П., 2012 92 АНАЛИЗ ФАЗОВОЙ ДИАГРАММЫ СИСТЕМЫ InP — InAs — InSb четырехкомпонентной системе <...>