УДК 537.226.4 СВОЙСТВА МАТРИЧНЫХ И СМЕСЕВЫХ НАНОКОМПОЗИТОВ С ВКЛЮЧЕНИЯМИ ТРИГЛИЦИНСУЛЬФАТА Н. Г. Поправко, О. В. Рогазинская, А. С. Сидоркин, С. Д. Миловидова Воронежский государственный университет Поступила в редакцию 29.10.2012 г. Аннотация. <...> В работе представлены результаты исследований диэлектрических свойств сегнетоэлектрических композитных материалов с триглицинсульфатом, синтезированных на основе пористых диэлектрических матриц с размерами пор до 100 нм и нанодисперсного гидрозоля кремнезема. <...> Показано, что особенности структуры нанокомпозитного материала и характер взаимодействий на границе компонент оказывают существенное влияние на поведение диэлектрических параметров материала и временную стабильность его сегнетоэлектрических свойств. <...> The results of studies of dielectric properties in ferroelectric composites with triglycine sulfate based on porous dielectric matrices with pore sizes up to 100 nm and nanosized silica hydrosol are presented in the paper. <...> It is shown that structural features of nanocomposite material and the nature of interactions at the boundary of components have a signifi cant eff ect on the behavior of dielectric parameters of this material and the temporal stability of its ferroelectric properties. <...> Keywords: ferroelectric, nanocomposite, phase transition, Curie temperature, dielectric permittivity ВВЕДЕНИЕ Исследование свойств сегнетоэлектрических материалов продолжает оставаться актуальным направлением физики конденсированного состояния в связи с перспективами их применения в новейших устройствах микро- и наноэлектроники и телекоммуникаций. <...> Технологии получения композитных наноструктур позволяют значительно расширить диапазон эффектов, получаемых при уменьшении размеров частиц, за счет неоднородности химического состава и формирования молекулярных структурных блоков (кристаллитов) в масштабах порядка десятков нанометров. <...> В литературе широко представлены данные о проявлениях размерных эффектов, связанных не только с размерами и формой сегнетоэлектрических частиц, но и с параметрами связующего материала, такими как геометрия и топология пор диэлектрической матрицы [1, 2]. <...> Малый размер сегнетоэлектрических <...>