УДК 53.086:621.315.592 КОНЦЕНТРАЦИОННЫЕ ПРОФИЛИ КОМПОНЕНТОВ В ЗОНЕ РЕАКЦИИ ГЕТЕРОВАЛЕНТНОГО ЗАМЕЩЕНИЯ АНИОНОВ В ТВЕРДОФАЗНОЙ СИСТЕМЕ Ga2 IIISe3 , А. <...> Руднев1 Воронежская государственная технологическая академия 1 Воронежский государственный университет Поступила в редакцию 13.04.2012 г. трационные профили элементов реакции самоорганизуются с течением времени отжига, что позволяет воспроизводимо реализовывать гетероструктуры с резкой границей раздела. <...> Ключевые слова: рентгеноспектральный микроанализ, гетероструктура, гетерепереход, гетеровалентное замещение полученной в процессе термостимулированного гетеровалентного замещения анионов. <...> Показано, что режимы квазиравновесной и диффузионной квазистационарной доставки халькогена в зону реакции различны по кинетике роста слоёв А2 Se3 IIIС3 VI Annotation: The concentration profi les of the main components in the Ga2 are self-organizated during some period of annealing time that allows to realize heterostructures with abrupt heterojunction. <...> Key word: X-ray electron microanalysis, heterostructure, heterojunction, heterovalent substitution IIIС3 ВВЕДЕНИЕ что эта стадия проходит через зародышеобразование с последующей коалесценцией зародышей фазы Ga2 Se3 нарных гетеросистем AIII с помощью слоёв A2 их формировании методом гетеровалентного замещения в области гетероперехода образуется переходной слой переменного состава. <...> При растворении Ga2 In2 Se3 — InAs, Ga2 S3 —GaAs, Ga2 Se3 Se3 халькогенидной пассивации поверхности AIII IIIC3 Se3 VI BV ны в работах [3—9]. <...> Авторы [1, 5—8] установили, что в гетеросистемах In2 и использование плаIIIC3 —A2 VI —GaAs при S3 в GaAs сохраняется крис© Буданов А. В., Безрядин Н. Н., Стрыгин В. Д., Агапов Б. Л., Руднев Е. В., Янин А. А., 2012 26 обоснова—InAs, В работах [1,2] методами сканирующей электронной микроскопии и атомной силовой микроскопии исследована начальная стадия формирования гетеросистем типа A2 на примере Ga2 AIII BV —GaAs. <...> In spite of this fact the concentration profi les of reaction elements –GaAs heterojuncАннотация: Методом рентгеноспектрального микроанализа исследованы концентрационные профили основных компонентов <...>