УДК 538.373.2 / 4 ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ МЕТОД ИССЛЕДОВАНИЯ ГЛУБОКИХ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ Нгуен Тхи Ким Чунг, А. Н. Латышев, Е. А. Егорушина, О. В. Овчинников, М. С. Смирнов, М. А. Ефимова Воронежский государственный университет Поступила в редакцию 24.01.2011 г. Аннотация: Установлены условия применимости метода фотостимулированной вспышки люминесценции для исследования локальных примесных состояний, расположенных в запрещенной зоне широкозонных кристаллов вблизи и ниже уровня центра люминесценции. <...> Показано, что разность светосумм вспышки, высвеченных с уровней определенной глубины до и после фотоионизации центров с более глубоких уровней, пропорционально плотности энергетических состояний этих центров. <...> Ключевые слова: широкозонные кристаллы, глубокие электронные состояния, фотостимулированная вспышка люминесценции, светосумма, высвечивание. <...> ВВЕДЕНИЕ Примесные состояния зачастую определяют уникальные оптические свойства реальных кристаллов. <...> В частности, поверхностные состояния, возникающие из-за адсорбции атомов и молекул, участвуют в сенсибилизации фотопроцессов в широкозонных полупроводниках [1]. <...> * Наиболее чувствительные методы исследования малых концентраций примесных состояний основаны на измерении фотостимулированной вспышки люминесценции широкозонных кристаллов [3, 4]. <...> Но непосредственное её применение возможно только для состояний, расположенных в запрещённой зоне выше уровней центров свечения. <...> В противном случае стимулирующий световой поток, рассеиваясь на неоднородностях исследуемых образцов и © Нгуен Тхи Ким Чунг, Латышев А. Н., Егорушина Е. А., Овчинников О. В., Смирнов М. С., Ефимова М. А., 2011 деталях держателей, маскируют вспышку. <...> В работе [5] был предложен способ «отсечки» сигнала вспышки, заключающийся в измерении светосуммы вспышки после импульса стимулирующего света. <...> В работе [6] указывалось на возможность получения информации о глубоких состояниях путём предварительного облучения <...>