Ватхик, М.С. Куролап Воронежский государственный университет Поступила в редакцию 30.06.2010 г. Аннотация: В данной статье исследуются схемы и решения, обеспечивающие снижение коммутационных потерь за счет уменьшения времени переключения силовых транзисторов. <...> Рассмотрено несколько вариантов таких схем и проведено их моделирование в пакете PSpise. <...> Получены временные диаграммы токов и напряжений на затворах силовых ключей. <...> Выявлены решения, обеспечивающие минимальное время перезаряда входной емкости. <...> Ключевые слова: силовой МОП-транзистор, схема управления затвором, коммутационные потери, время включения, время выключения Abstract: In this paper investigated some circuits, which provide solutions to decrease switching losses by decreasing switching time for the power transistor. <...> We considered several types of control circuits and simulated it in PSpise program to get timing diagrams with voltages and currents on transistor gates. <...> ВВЕДЕНИЕ Считается, что в отличие от биполярных транзисторов, мощные полевые транзисторы с изолированным затвором (MOSFET) управляются напряжением. <...> Хотя пороговое напряжение для данного типа приборов составляет 2—5 В, обычно управляющее напряжение составляет не менее 10 В, что обеспечивает наилучшие статические характеристики и максимальный ток насыщения. <...> Также хорошо известно, что при работе импульсных преобразователей потери, обусловленные переключением силовых транзисторов (т.н. «динамические» потери), могут в 5—10 раз превышать «статические», или потери на проводимость[1]. <...> Однако, для практических целей, в первую очередь для анализа электрических процессов во внешних цепях силовых MOSFET, можноMOSFET,, воспользоваться упрощенной моделью. <...> В этом случае изолированный затвор может быть представлен в виде конденсатора, включенного между затвором и истоком. <...> Протекание посто© Бобрешов А. М., Дыбой А. В., Ватхик С., Куролап М. С., 2010 янного тока через затвор ограничивается пренебрежимо малым током утечки, который составляет обычно несколько наноампер. <...> Однако при переключении транзистора происходит перезаряд входной <...>