ФИЗИКА УДК 621.315.592 ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО РАЗРЯДА СТРУКТУР Si–SiO2 МЕТОДОМ ЗОНДА КЕЛЬВИНА И. Ю. <...> Бутусов, Е. А. Татохин, Е. А. Тутов* *Воронежский государственный университет Воронежская государственная технологическая академия Рассмотрено применение метода зонда Кельвина для исследования электрического разряда структур Si-SiO2 ВВЕДЕНИЕ ются окисленные кремниевые пластины, применяемые в производстве полупроводниковых приборов. <...> Для исследования электрических свойств тонких пленок SiO2 В качестве структур Si–SiO2 , которые образоважается в коронном разряде положительными электрическими зарядами и на заряженной поверхности создается положительный потенциал относительно кремниевой пластины. <...> Измерение этого потенциала производится компенсационным методом с помощью специально созданного прибора — измерителя потенциалов поверхности (ИПП). <...> Прибор оснащен зондом, который устанавливается над поверхностью пленки SiO2 ны на пластинах кремния в результате технологических процессов, использован метод зонда Кельвина. <...> При применении этого метода поверхность пленки SiO2 предварительно заряи вибрирует в направлении, перпендикулярном к поверхности. <...> Если в зазоре между торцом зонда и поверхностью напряженность электрического поля не равна нулю, то через этот зазор течет ток смещения. <...> В момент времени, когда потенциал V оказывается равным потенциалу поверхности, ток смещения становится равным нулю и величина V фиксируется прибором [1, 2]. <...> Метод измерений с зондом Кельвина является неразрушающим. <...> Результатом измерений является ряд значений Vi , которые образуют монотонно убывающую во времени последовательность. <...> Для анализа этой информации с целью определения значений электрофизических параметров плен© Бутусов И. Ю., Татохин Е. А., Тутов Е. А., 2007 рассматриванужны аналитические методы и специальная методика обработки результатов измерений. ки SiO2 ТЕОРЕТИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ Уменьшение со временем потенциала <...>