РАДИАЦИОННО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В ПРОИЗВОДСТВЕ МДП ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ В. Р. <...> Гитлин Воронежский государственный университет Разработана радиационная технология прецизионной регулировки порогов МДП транзисторов на основе использования мягкого рентгеновского (<20 кэВ) и УФ излучений. <...> Возможность реализации этих процессов основана на контролируемом радиацией формировании термостабильного заряда в подзатворных окислах, содержащих примесь фосфора. <...> Обобщены результаты внедрения технологии, основанной на использовании ионизирующей радиации в полномасштабном производстве серийных МДП интегральных схем. <...> Радиационная технология (РТ) становится одним из перспективных направлений в современной микро-(нано)электронике, интенсивно развиваемых в последнее время. <...> Это обусловлено целым комплексом неоспоримых достоинств РТ: воспроизводимостью процессов, высоким уровнем контроля, простотой технической реализации, совместимостью со стандартными технологическими процессами, возможностью использования на различных этапах технологического процесса, включая финишные, избирательностью воздействия, отсутствием внесения дополнительных загрязнений и элементов нестабильности в полупроводниковые структуры в процессе реализации способа. <...> Воздействие излучений на твердотельные объекты приводит к изменению их структурных, механических, электрофизических и других характеристик, а также существенно влияет на характер протекания различных технологических процессов при их формировании. <...> Выбор полезных, с точки зрения практического использования, изменений свойств полупроводниковых структур под радиационным воздействием позволяет проводить регулировку ряда важнейших параметров полупроводниковых приборов (ПП) и интегральных схем (ИС), решать задачи повышения надежности изделий и повышения выхода годных. <...> Вид радиационного воздействия в радиационно-технологическом процессе (РТП) определяется <...>