УДК: 537.226 ЭМИССИя ЭлЕКТроНов ИЗ КрИСТаллов ТГС, выраЩЕННыХ ИЗ оБлучЕННыХ ЗаТравоК о. в. рогазинская, С. д. <...> Б. плаксицкий Воронежский государственный университет В настоящей работе исследовалась эмиссия электронов из сегнетоэлектрических кристаллов ТГС, выращенных из облученных рентгеновскими лучами и a-частицами затравок. <...> Установлено, что независимо от источников облучения затравки (рентгеновские лучи или a-частицы) значения тока эмиссии всегда больше с «отрицательной» поверхности. <...> Величина тока эмиссии электронов тем больше, чем больше униполярность образцов. показано, что униполярность образцов выше у кристалла ТГС, выращенного из затравки, облученной a-частицами, что вероятно связано с большей величиной внутреннего смещающего поля сформированного под действием a-частиц по сравнению с рентгеновскими лучами. ввЕдЕНИЕ равновесной доменной структуре сегнетоэлектриков в отсутствие дефектов кристаллической решетки соответствует так называемое неуниполярное состояние, когда объемы и переключательные характеристики антипараллельных доменов одинаковы, а кристалл в целом не является полярным. однако значительное число реальных сегнетоэлектриков обладает несимметричной петлей гистерезиса, т.е. находится в униполярном состоянии. <...> Это связано с наличием дефектов, вводимых в кристаллы в процессе роста, а так же при их радиационном облучении. <...> В качестве дефектов, стабилизирующих доменную структуру сегнетоэлектрического триглицинсульфата (ТГС) обычно используются ионы хрома или молекулы l, a-аланина, специально вводимые в кристалл в процессе его роста [ , 2]. <...> С другой стороны, тот же эффект может быть достигнут за счет облучения приготовленных для исследования образцов или при выращивании кристалла из униполярной затравки [3—5]. <...> В указанных работах исследуется структура и свойства кристаллов ТГС, выращенных из униполярных затравок, предварительно облученных рентгеновскими лучами [3 <...>