УДК 621.382.029.6 МодЕлИроваНИЕ дЕГрадацИоННыХ процЕССов в полЕвоМ ТраНЗИСТорЕ под воЗдЕйСТИЕМ ИМпулЬСНыХ поМЕХ БолЬшой аМплИТуды а. <...> , Г. К. усков, И. И. Мещеряков, И. С. Коровченко Воронежский государственный университет В работе рассматриваются эффекты, возникающие при воздействии нано- и пикосекундных видеоимпульсов на полевые транзисторы с затвором шотки (пТш). предложена модель, в которой произведен учет основных характеристик деградации пТш. разработана методика определения параметров модели по экспериментально полученным зависимостям. показано, что характер поведения тока стока определяется кратковременным эффектом воздействия положительных выбросов напряжения на затворе, увеличивающим ток стока, и действием отрицательных импульсов, уменьшающих этот ток. <...> На основе полученной модели рассчитаны зависимости тока стока от времени во время и после воздействия. <...> На основе полученных данных рассчитана зависимость изменения коэффициента усиления от времени при наличии импульсного воздействия. ввЕдЕНИЕ В современной радиоаппаратуре микроволнового диапазона для усиления и преобразования СВЧ-сигналов широко используются полевые транзисторы с затвором шотки (пТш) на основе арсенида галлия (GaAs). <...> В последнее время большое внимание уделяется воздействию видеоимпульсов нано- и субнаносекундной длительности. <...> Такие сигналы являются сверхширокополосными, и даже в присутствии входных фильтров часть спектра все равно попадает на вход транзистора. <...> Энергии сверхкоротких импульсов, может оказаться достаточно как для необратимого вывода из строя полупроводниковых приборов, так и для отказов обратимого типа. <...> М., Усков Г. К., Мещеряков И. И., Коровченко И. С., 2006 0 особый интерес вызывает обратимая деградация транзисторов, под которой понимается ухудшение функциональных параметров транзистора (коэффициент усиления, ток стока транзистора) в результате импульсных воздействий, с последующим медленным <...>