Левин, А. В. Татаринцев, А. В. Каданцев, В. Р. Гитлин Воронежский государственный университет Проведен анализ высокочастотного адмиттанса МДП-структуры с инверсионным слоем вне области затвора и предложен метод определения сопротивления внеэлектродного инверсионного слоя по активной составляющей адмиттанса МДП-структуры. <...> ВВЕДЕНИЕ Воздействие радиации на МДП-структуру приводит к образованию в диэлектрике положительного заряда [1]. <...> Если при этом плотность поверхностных состояний невелика, то при больших величинах заряда возможно образование на поверхности полупроводника p-типа инверсионного слоя. <...> В результате наблюдается эффект бокового растекания тока по инвертированной поверхности полупроводника, который проявляется в увеличении неконтролируемых токов утечек в МДП элементах интегральных схем и увеличении высокочастотной (ВЧ) емкости МДП структуры в области инверсии [2]. <...> Такой вид зависимости емкости от напряжения в области инверсии определяется в этом случае не генерационно-рекомбинационными процессами в области пространственного заряда (ОПЗ) полупроводника, а скоростью доставки под электрод неосновных носителей из внеэлектродного канала. <...> Боковое растекание тока по инвертированной поверхности полупроводника приводит к увеличению эффективной площади электрода МДП-структуры в области инверсии [3] (рис. <...> Этот эффект учитывается в эквивалентной схеме МДП-структуры полубесконечной RC-цепью с распределенными параметрами, соединенной с емкостью ОПЗ полупроводника под металлическим электродом (рис. <...> Цепь с распределенными параметрами можно заменить эквивалентными элементами с сосредоточенными параметрами (рис. <...> 24 ниям высокочастотной емкости C0 и проводимости G0 при нулевом смещении. <...> При этом вали этот эффект для определения сопротивления инверсионного слоя RW предполагалось, что вблизи нулевого напряжения проводимостью приэлектродной облаНиколлиан и Гоетсбергер [2] использопо <...>