Математика, 2005, ¹1 УДК 539.186:537;539.196:537 ЗАВИСИМОСТЬ РАДИАЦИОННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ЩЕЛОЧНЫХ АТОМОВ ОТ НАПРЯЖЕННОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ А. А. <...> Каменский Воронежский государственный университет С помощью теории возмущений для близких состояний на основе редуцированной функции Грина найдены волновая функция и энергия подуровней тонкой структуры атомов щелочных металлов. <...> Поляризуемости таких состояний определяют аналитическую зависимость вероятности радиационных переходов от напряженности внешнего электрического поля в низшем порядке. <...> Исследовано влияние эффекта антипересечения на радиационные характеристики атома для состояний с произвольным орбитальным квантовым числом. <...> ВВЕДЕНИЕ Основными процессами, характеризующими квантовую структуру атома, являются радиационные переходы на подуровнях тонкой структуры. <...> Появление и исчезновение с ростом поля штарковских линий представляет интерес как в теоретическом плане, так и с точки зрения эксперимента. <...> Зависимость интенсивности отдельных компонент от напряженности внешнего поля долгое время оставалась не изученной. <...> Также вопрос о влиянии эффекта антипересечения на вероятности переходов в щелочных атомах в литературе не ставился. <...> Изучение свойств штарковских подуровней тонкой структуры атома удобно проводить с использованием интегрального уравнения Шредингера, записанного через редуцированную функцию Грина E G′ . <...> Для близких подуровней мультиплетного атома построена теория возмущений и проведен расчет зависимости тонкого расщепления от поля 0 F в атоме гелия [1], где для некоторых состояний одинаковой четности наблюдается эффект антипересечения. <...> С помощью этого формализма записана волновая функция атома [2] произвольного состояния, и исследованы вероятности радиационных переходов на соответствующих подуровнях. <...> Но в области минимума расщепления подуровней дублета (в окрестности поля антипересечения 0 элементам и энергии сравнимы <...>