43 УДК 621.315.592 ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТОВ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ СТРУКТУР SiSiO2 МЕТОДОМ ЗОНДА КЕЛЬВИНА И. Ю. <...> Бутусов*, М. В. Гречкина Воронежский государственный университет *Воронежская государственная технологическая академия турах SiSiO2 Рассмотрен метод определения коэффициентов электропроводности в плоских струкпри измерении потенциалов на поверхности пленки SiO2 зондом Кельвина. <...> Изучение электропроводности структур SiSiO2 позволяет определить коэффициенты электропроводности для различных механизмов проводимости. <...> Результаты таких исследований имеют научное и практическремниевых пластинах, применяемых при производстве полупроводниковых приборов. <...> При наличии в пленке SiO2 электрического пряженности электрического поля Е, которая больше значения 5·106 поля, когда свободная поверхность пленки имеет положительный потенциал по отношению к кремнию, электроны туннелируют из кремния через пленку SiO2 . <...> При величине нависимость величины плотности туннельного тока IF от величины напряженности Е электрического поля в пленке SiO2 следующая [1]: 2 IE b E F где =eh 3 [8 (2 ) = meh /(8 ),B 12 3 2 , h постоянная Планка. <...> =⋅ −7 23 B ]/(3 ), (2) (3) е заряд электрона, m эффективная масса электрона при движении в пленке SiO2 (4) Ток, соответствующий указанному механизму проводимости, называется туннельным по ФаулеруНордгейму. <...> © Бутусов И. Ю., Гречкина М. В., 2005 = exp( / ), (1) ходят через потенциальный барьер высотой В, существующий в структуре SiSiO2 В/см, электроны про. <...> В качестве структур SiSiO2 рассматриваются тонкие пленки SiO2 на токи обусловлены прохождением электронов через пленку SiO2 кого поля через нее кроме тока с плотностью IF При наличии в пленке SiO2 электричесмогут протекать и другие токи. <...> Эти при наличии в ней дефектов; электроны проходят от одного электронного уровня дефекта к другому. <...> В случае диэлектрика с широкой запрещенной зоной и значительным числом дефектов при не слишком большой температуре основной вклад в процессы переноса дает <...>