Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 610252)
Контекстум
Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика  / №1 2004

ИССЛЕДОВАНИЕ НЕЛИНЕЙНЫХ ЕМКОСТЕЙ В МОЩНЫХ СВЧ МОП ТРАНЗИСТОРАХ (90,00 руб.)

0   0
Первый авторПетров
АвторыМеньшиков П.А., Гашков А.Н., Семейкин И.В., Николаенков Ю.К.
Страниц6
ID521074
АннотацияВ статье получены строгие аналитические выражения для расчета входной Свх, выходной Свых и проходной Сзс емкостей мощных СВЧ МОП транзисторов в зависимости от напряжения стока Uси. Проведена экспериментальная проверка этих соотношений на примере отечественного мощного балансного транзистора мощностью 150 Вт, рабочей частотой 500 МГц и напряжением питания Uпит = 28 В. Расхождение теоретических данных с экспериментальными составляет не более 15 %
УДК539.213:621.317
ИССЛЕДОВАНИЕ НЕЛИНЕЙНЫХ ЕМКОСТЕЙ В МОЩНЫХ СВЧ МОП ТРАНЗИСТОРАХ / Б.К. Петров [и др.] // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2004 .— №1 .— С. 44-49 .— URL: https://rucont.ru/efd/521074 (дата обращения: 17.04.2025)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

ВЕСТНИК ВГУ, Серия физика, математика, 2004, ¹1 УДК 539.213:621.317 ИССЛЕДОВАНИЕ НЕЛИНЕЙНЫХ ЕМКОСТЕЙ В МОЩНЫХ СВЧ МОП ТРАНЗИСТОРАХ © 2004 Б. К. Петров, П. А. Меньшиков, А. Н. Гашков, И. В. Семейкин, Ю. К. Николаенков Воронежский государственный университет от напряжения стока Uси выходной Свых В статье получены строгие аналитические выражения для расчета входной Свх и проходной Сзс данных с экспериментальными составляет не более 15 %. <...> ВВЕДЕНИЕ В последнее время в передающей ВЧ и СВЧ аппаратуре начали широко использоваться мощные генераторные СВЧ МОП транзисторы. <...> Одними из важных малосигнальных параметров МОП транзисторов являются встроенные (геометрические) емкости: емкость исток–затвор из определяет входную емкость вх (); C. , емкостей мощных СВЧ МОП транзисторов в зависимости . <...> Проведена экспериментальная проверка этих соотношений на примере отечественного мощного балансного транзистора мощностью 150 Вт, рабочей частотой 500 МГц и напряжением питания Uпит = 28 В. <...> Расхождение теоретических же зависимости емкостей от напряжения стока си танных значений вх вых пр ,, U и отсутствует сравнение рассчиCC C с измеренными значениями. <...> Целью настоящей работы является: получение строгих аналитических выражений для расчета емкостей (входной пр iss ходной вых ossCC и проходной зс sc () U () ных СВЧ МОП транзисторов в зависимости от напряжения стока си C , которая C ; проходная емкость затвор–сток из зсCC емкость исток– сток сиC , которая определяет выходную емкость вых Параметры усилительных каскадов на МОП-транзисторе с общим истоком в значительной степени зависят от емкостей: входное сопротивление из емкости вх ности уРK — от проходной емкости пр зс C . <...> C ; коэффициент усиления по мощCC Z — от входной (); рабочая полоса частот — от выходной емкости вых Расчет емкостей мощного СВЧ МОП транзистора позволит спрогнозировать и оптимизировать параметры транзисторной структуры непосредственно на этапе разработки. <...> Отсутствуют так45 U = 28 В C <...>