Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 636199)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика  / №2 2003

РАСЧЕТ ТОКОВ В СИСТЕМЕ СОЕДИНЕНИЙ В МОДЕЛИ МОЩНОГО ВЧ (СВЧ) ТРАНЗИСТОРА (90,00 руб.)

0   0
Первый авторПетров
АвторыБулгаков О.М., Осецкая Г.А.
Страниц7
ID521044
АннотацияПредложена и апробирована методика расчета элементов эквивалентной схемы мощного ВЧ (СВЧ) транзистора, обусловленных явлениями самоиндукции и взаимоиндукции в его входных и выходных цепях, одновременно с расчетом распределения токов, протекающих по контурам, образованным монтажно-соединительными элементами отдельных транзисторных ячеек
УДК621.382.33
Петров, Б.К. РАСЧЕТ ТОКОВ В СИСТЕМЕ СОЕДИНЕНИЙ В МОДЕЛИ МОЩНОГО ВЧ (СВЧ) ТРАНЗИСТОРА / Б.К. Петров, О.М. Булгаков, Г.А. Осецкая // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2003 .— №2 .— С. 52-58 .— URL: https://rucont.ru/efd/521044 (дата обращения: 19.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

ВЕСТНИК ВГУ, Серия физика, математика, 2003, ¹ 2 УДК 621.382.33 РАСЧЕТ ТОКОВ В СИСТЕМЕ СОЕДИНЕНИЙ В МОДЕЛИ МОЩНОГО ВЧ (СВЧ) ТРАНЗИСТОРА © 2003 Б. К. Петров, О. М. Булгаков* , Г. А. Осецкая* Воронежский государственный университет * Воронежский институт МВД России Предложена и апробирована методика расчета элементов эквивалентной схемы мощного ВЧ (СВЧ) транзистора, обусловленных явлениями самоиндукции и взаимоиндукции в его входных и выходных цепях, одновременно с расчетом распределения токов, протекающих по контурам, образованным монтажно-соединительными элементами отдельных транзисторных ячеек. <...> ВВЕДЕНИЕ Одной из ключевых позиций моделирования мощного ВЧ (СВЧ) транзистора является расчет его эквивалентных индуктивностей и обусловленных ими активных и реактивных составляющих импедансов входного и выходного контуров оконечного каскада (ОК) СВЧ усилителя мощности (УМ) в целом. <...> Разделение активной области транзистора на отдельные ячейки, автономно соединенные с электродами корпуса, а также сложность и неоднозначность учета взаимоиндукции в системе входных и выходных контуров транзисторных ячеек (ТЯ) вынуждают использовать для расчетов индуктивнозависимых параметров физических моделей транзисторов и ОК УМ на их основе наиболее общие подходы. <...> В основе таких подходов лежит вычисление потоков индукции магнитного поля в замкнутых контурах, образованных проводниками в системе соединений активных областей ТЯ с электродами корпуса. <...> ОБЩАЯ ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ В некотором входном контуре i-ой ТЯ из их общего количества N наводится ЭДС индукции: Εii⋅ =− Φ ⋅()=− Φ ⋅&& jt иee j dt d где и i Ε & и i Φ jt & i e jt , & — комплексные амплитуды ЭДС индукции и магнитного потока, пронизывающего контур. <...> Ввиду сдвига фаз между входным и выходным токами транзистора составляющая 53 входного импеданса рассматриваемого контура за счет наведенной ЭДС индукции является комплексной величиной: ZjL к + r ви II & && вх вх == Φ = иii ii i ii Uj & вх & . <...> Здесь <...>