ВЕСТНИК ВГУ, Серия физика, математика, 2003, ¹ 1 УДК 539.19:541.621:546.26 СТРУКТУРНЫЕ И ЭЛЕКТРОННЫЕ ОСОБЕННОСТИ ИНКАПСУЛИРОВАННЫХ АТОМАМИ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ КРЕМНИЕВЫХ НАНОЧАСТИЦ © 2003 Н. А. Борщ, С. И. Курганский Воронежский государственный университет Представлены результаты оптимизации геометрии и расчета электронной структуры чисто кремниевых нейтрального и анионного кластеров Si12 и инкапсулированных атомами Cu и Мо кластеров CuSi12 и МоSi12 ного фотоэлектронного спектров, которое показало хорошее согласие теории и эксперимента. <...> В качестве характеристик электронной структуры рассматриваются полные и парциальные плотности электронных состояний. <...> Для анионного кластера Si12 Введение Одным из актуальных направлений современной физики является поиск качественно новых материалов, которые позволили бы ускорить наметившийся в последнее время переход от микроэлектронных устройств к наноэлектронике. <...> Еще в 80-е годы прошлого столетия кремниевые кластеры стали объектом интенсивных экспериментальных и теоретических исследований, как потенциальные заменители кристаллического кремния [1, 2]. <...> Уже тогда возникло предположение, что получение новых наноформ кремния возможно путем построения их из замкнутых, фуллереноподобных, кремниевых структур. <...> И только в 2001 г. появилось сообщение о получении кремниевых фуллереноподобных структур, устойчивость которых достигалась благодаря инкапсулированному в них атому металла [3]. <...> При этом атом металла во многом определяет химические свойства всего кластера, что даст возможность влиять на свойства таких объектов путем замены одного металла на другой. <...> Од36 нако нам не известно о работах, в которых были бы представлены результаты расчета электронной структуры таких объектов. <...> Поэтому в качестве объектов пред, CuSi12 геометрической структуры кремниевых нанокластеров в настоящее время не известно. <...> Электронная структура была изучена только для анионных чисто кремниевых <...>