ВЕСТНИК ВГУ, Серия физика, математика, 2002, ¹ 1 РАЗДЕЛ ФИЗИКА УДК 621.3.049.77 РЕНТГЕНОВСКАЯ КОРРЕКТИРОВКА ПОРОГОВЫХ НАПРЯЖЕНИЙ В ПРОИЗВОДСТВЕ МДП ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ © 2002 г. В. Р. Гитлин, С. Г. Кадменский, М. Н. Левин, С. С. Остроухов, А. В. Татаринцев* Воронежский государственный университет Воронежский государственный педагогический университет* Представлена технология прецизионного управления пороговыми напряжениями МДП ИС с использованием мягкого рентгеновского (1020 кэВ) и ближнего ультрафиолетового излучений. <...> Управление параметрами МДП ИС основано на возможности формирования стабильного радиационно-индуцированного заряда в подзатворном слое двуокиси кремния с примесью фосфора. <...> ВВЕДЕНИЕ Радиационно-технологические процессы (РТП) в современной микроэлектронике основаны на воздействии различных излучений, обеспечивающих контролируемые изменения параметров полупроводниковых материалов и структур [1, 2]. <...> РТП характеризуются простотой технической реализации и контроля, воспроизводимостью и совместимостью со стандартными технологическими маршрутами. <...> Сформировавшиеся при этом представления о нестабильности радиационно-индуцированного заряда в слоях подзатворного окисла, справедливые для технологий изготовления р-канальных МДП ИС с алюминиевыми затворами, сохранились и после перехода производства на n-канальные МДП-технологии типа LОСOS с самосовмещенными поликремниевыми затворами. <...> Попытки создания промышленно пригодных РТП на основе высокоэнергетических частиц и гамма-квантов тормозились низкой производительностью процессов из-за слабого поглощения таких излучений в тонких планарных слоях МДП-структур. <...> Повышение мощности потоков высокоэнергетических из5 лучений приводило к снижению воспроизводимости РТП и существенно повышало требования к оборудованию по радиационной безопасности. <...> Указанные факторы также препятствовали разработкам РТП, совместимым со стандартными технологическими <...>