Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634794)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Технические науки  / №3 2015

ВЛИЯНИЕ АНИЗОТРОПИИ КРИСТАЛЛА НА ФОРМУ ДВИЖУЩЕГОСЯ В ГРАДИЕНТНОМ ПОЛЕ ЖИДКОГО ВКЛЮЧЕНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ СИНТЕЗА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ (60,00 руб.)

0   0
Первый авторБлагин
АвторыБлагина Л.В., Лозовский С.В., Малибашев А.В., Нефедова Н.А.
Страниц5
ID520233
АннотацияОбсуждаются результаты математического моделирования движения жидкого линейного включения в кристаллических структурах A3B5 в условиях зонной перекристаллизации градиентом температуры для различных режимов нормального механизма растворения и роста. Модель учитывает анизотропию скоростей растворения и кристаллизации. Равновесные формы сечения жидкого включения согласуются с аналогичными формами, полученными экспериментально для AsGa–Ga. Показано, что зона приобретает выраженную огранку фронта растворения, в то время как фронт кристаллизации таковой не имеет. В эксперименте наблюдалась траекторная нестабильность, обусловленная затруднённостью кинетических процессов на границе растворения. Для технологического процесса получена область параметров успешного использования методики определения атомно-кинетических коэффициентов – при температурах процесса градиентной жидкофазной эпитаксии
УДК621.315.592:546.23:548.5
ВЛИЯНИЕ АНИЗОТРОПИИ КРИСТАЛЛА НА ФОРМУ ДВИЖУЩЕГОСЯ В ГРАДИЕНТНОМ ПОЛЕ ЖИДКОГО ВКЛЮЧЕНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ СИНТЕЗА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ / А.В. Благин [и др.] // Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Технические науки .— 2015 .— №3 .— С. 106-110 .— URL: https://rucont.ru/efd/520233 (дата обращения: 26.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

№ 3 УДК 621.315.592:546.23:548.5 DOI: 10.17213/0321-2653-2015-3-103-107 ВЛИЯНИЕ АНИЗОТРОПИИ КРИСТАЛЛА НА ФОРМУ ДВИЖУЩЕГОСЯ В ГРАДИЕНТНОМ ПОЛЕ ЖИДКОГО ВКЛЮЧЕНИЯ В ТЕХНОЛОГИИ СИНТЕЗА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ CRYSTAL ANISOTROPY INFLUENCE ON THE FORM OF THE LIQUID INCLUSION MOVING IN THE GRADIENT FIELD IN TECHNOLOGIES OF SYNTHESIS OF SEMICONDUCTOR MATERIALS  2015 г. А.В. Благин, Л.В. Благина, С.В. Лозовский, А.В. Малибашев, Н.А. Нефедова Благин Анатолий Вячеславович – д-р физ.-мат. наук, профессор, зав. кафедрой «Физика», Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова, г. Новочеркасск, Россия. <...> Малибашев Александр Владимирович – канд. техн. наук, доцент, кафедра «Физика», Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова, г. Новочеркасск, Россия. <...> Blagin Anatoly Vyacheslavovich – Doctor of Physical and Mathematical Sciences, professor, head of department «Physics», Platov South-Russian State Polytechnic University (NPI), Novocherkassk, Russia. <...> Malibashev Alexandr Vladimirivich – Candidate of Technical Sciences, assistant professor, department «Physics», Platov South-Russian State Polytechnic University (NPI), Novocherkassk, Russia. <...> Обсуждаются результаты математического моделирования движения жидкого линейного включения в кристаллических структурах A3B5 в условиях зонной перекристаллизации градиентом температуры для различных режимов нормального механизма растворения и роста. <...> Модель учитывает анизотропию скоростей растворения и кристаллизации. <...> Равновесные формы сечения жидкого включения согласуются с аналогичными формами, полученными экспериментально для AsGa–Ga. <...> Показано, что зона приобретает выраженную огранку фронта растворения, в то время как фронт кристаллизации таковой не имеет. <...> В эксперименте наблюдалась траекторная нестабильность, обусловленная затруднённостью кинетических процессов на границе растворения. <...> Для технологического процесса получена область параметров успешного использования методики определения атомно-кинетических коэффициентов – при температурах процесса градиентной жидкофазной эпитаксии. <...> Ключевые слова: градиентная жидкофазная эпитаксия; анизотропия <...>

Облако ключевых слов *


* - вычисляется автоматически
Антиплагиат система на базе ИИ