УДК 621.315.592:669.049.44 ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ ТЕРМОМИГРАЦИИ ПРИ ВВЕДЕНИИ ДОБАВОК Ga В ЗОНООБРАЗУЮЩИЙ МАТЕРИАЛ Si – Al 2014 г. Б.М. Середин Середин Борис Михайлович – канд. техн. наук, доцент, кафедра «Физика», Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова. <...> E-mail: seredinboris@gmail.com Приведены результаты экспериментальных исследований кинетики роста слоев в системе Si – Al – Ga. <...> Установлено, что с увеличением содержания Ga в зонообразующем материале происходит монотонное снижение скорости эпитаксиального роста. <...> Обнаружен эффект увеличения скорости миграции тонких зон растворителя по сравнению с бинарным составом при введении малых (0,5 – 1,0 % по массе) добавок Ga. <...> Проведен теоретический анализ полученных данных, оценены диффузионный и кинетический параметры процесса растворения и кристаллизации в ростовой ячейке при миграции растворителя сложного состава. <...> Отмечено заметное влияние малых добавок Ga на повышение стабильности процесса термомиграции. <...> Введение Практическое использование метода термомиграции [1] при получении структур приборов твердотельной электроники [2, 3] ставит вопросы о необходимости управления скоростью роста [4, 5] и качеством (совершенством) эпитаксиальных слоев [6, 7]. <...> Одним из наиболее перспективных вариантов термомиграции, позволяющих получить высококачественные p+ - слои монокристаллического кремния большой площади, является эпитаксия с использованием капиллярного формирования растворителя на основе алюминия с добавкой третьего компонента, понижающего поверхностное натяжение растворарасплава [8]. <...> Известно [9, 10], что введение примесей в ряде случаев существенно влияет на структуру расплава. <...> Так, взаимодействие частиц расплава и примесей может приводить как к гомогенизации жидкой фазы, так и к возникновению упорядоченных группировок. <...> Если эффект гомогенизации позволяет выращивать эпитаксиальные слои повышенного качества (повышается кристаллическое <...>