Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 635051)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Технические науки  / №5 2013

ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР n-SiC/p-(SiC)1-x(AlN)x (60,00 руб.)

0   0
Первый авторКаргин
АвторыСафаралиев Г.К., Билалов Б.А., Курбанов М.К., Рындя С.М.
Страниц7
ID519724
АннотацияПриведены результаты измерений вольт-фарадных характеристик для структур SiC/(SiC)1-x(AlN)x. Определялись концентрации легирующей примеси в активном слое гомо- и гетероструктур; высота потенциального барьера на p-n-переходе; толщины p-n-перехода; величины напряженности электрического поля в p-n-переходе; параметры глубоких примесных уровней по изменению во времени емкости p-n-перехода. По полученным данным определялось влияние содержания AlN в твердых растворах на параметры структур SiC/(SiC)1-x(AlN)x
УДК537.9:539.23
ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР n-SiC/p-(SiC)1-x(AlN)x / Н.И. Каргин [и др.] // Известия высших учебных заведений. Северо-Кавказский регион. Технические науки .— 2013 .— №5 .— С. 88-94 .— URL: https://rucont.ru/efd/519724 (дата обращения: 05.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

№ 5 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ЭЛЕМЕНТЫ УДК 537.9:539.23 ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ГЕТЕРОСТРУКТУР n-SiC/p-(SiC)1-x  2013 г. Н.И. Каргин, Г.К. Сафаралиев, Б.А. Билалов, М.К. Курбанов, С.М. Рындя Каргин Николай Иванович – д-р техн. наук, профессор, начальник Управления развития перспективных исследований, г. Москва. <...> E-mail: kurbanov_malik@mail.ru Рындя Сергей Михайлович – Ордена Трудового Красного Знамени научно-исследовательский физико-химический институт им. <...> E-mail: ryndya_sm@mail.ru Приведены результаты измерений вольт-фарадных характеристик для структур SiC/(SiC)1-x(AlN)x. <...> Определялись концентрации легирующей примеси в активном слое гомо- и гетероструктур; высота потенциального барьера на p-n-переходе; толщины p-n-перехода; величины напряженности электрического поля в p-n-переходе; параметры глубоких примесных уровней по изменению во времени емкости p-n-перехода. <...> По полученным данным определялось влияние содержания AlN в твердых растворах на параметры структур SiC/(SiC)1-x(AlN)x. <...> Известно, что емкостные измерения применяются для определения: концентрации легирующей примеси в активном слое гомо- и гетероструктур; высоты потенциального барьера на p-n-переходе; толщины p-nперехода; величины напряженности электрического поля в p-n-переходе; параметров глубоких примесных уровней по изменению во времени емкости p-nперехода. <...> Концентрацию легирующей примеси в активном слое (базе) находят по зависимости С Z  U  , где 2  Z 3. <...> При этом, если зависимость С -Z = f(U) ложится на прямую линию при Z = 2, то считается, что p-n-переход резкий, примесь в менее легированной его части распределена равномерно, а наклон прямой дает значение концентрации примеси. <...> Отсечка на оси напряжений, производимая линией зависимости С -Z = 85 = f(U) дает величину контактной разности потенциалов Uk. <...> Если зависимость С -Z = f(U) ложится на прямую линию при Z = 3, то считают, что переход плавный, а по наклону кривой определяют градиент концентрации примеси в менее легированной части p-nперехода. <...>