№ 2 УДК 621.315.592:548.25 ВОЗМОЖНОСТЬ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕРМАНИЕВЫХ НАНОРАЗМЕРНЫХ ОСТРОВКОВЫХ СТРУКТУР НА КРЕМНИИ МЕТОДОМ ВАКУУМНОЙ МИКРОРАЗМЕРНОЙ РОСТОВОЙ ЯЧЕЙКИ 2013 г. А.Н. Яценко, В.Н. Лозовский Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт) South-Russian State Technical University (Novocherkassk Polytechnic Institute) Показано, что методом микроразмерных ростовых ячеек могут быть получены на поверхности кремния ансамбли германиевых островковых наноразмерных структур. <...> Исследованы их геометрические особенности, характер распределения по размерам, поверхностная плотность. <...> Ключевые слова: метод вакуумных микроразмерных ростовых ячеек; кремний; германий; островковые микро- и наноструктуры. <...> The ensembles of germanic island nanodimensional structures on the surface of silicon have been generated by technique of microdimensional growing cells. <...> Keywords: technique of vacuum microdimensional growing cells; silicon; germany; island micro- and nanostructures. <...> В течение нескольких десятков лет кремний сохраняет лидирующие позиции материала, используемого для создания дискретных полупроводниковых приборов и интегральных микросхем (ИМС). <...> Постоянное повышение степени интеграции ИМС и уменьшение их стоимости определяют успехи современной кремниевой электроники. <...> Методы формирования кремниевых приборных структур пригодны, в принципе, для создания кремниевой оптоэлектроники, включая различные интегральные оптоэлектронные устройства, и такая задача является весьма актуальной. <...> Основной проблемой здесь является получение эффективных источников на базе кремния. <...> В связи с этим перед полупроводниковым материаловедением встает задача разработки метода получения на основе кремния материалов с достаточно высоким квантовым выходом электролюминесценции. <...> К таким материалам относится, в частности, соединение GexSi1-x в виде сплошных пленок и островковых структур на кремниевой подложке. <...> Сечение сэндвича из пластины-источника А и пластины-подложки В для случаев сплошного (а) и дискретного (б) источников ростового <...>