№ 2 УДК 621.383+621.472 ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОТОКА В СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТАХ НА ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С МАССИВОМ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК 2013 г. С.Н. Чеботарев, А.С. Пащенко Южный научный центр РАН, г. Ростов-на-Дону South Scientific Center RAS, Rostov-on-Don Продемонстрирована возможность получения методом ионно-лучевой кристаллизации GaAs p-i-nгетероструктур с внедренным в i-область массивом InAs квантовых точек. <...> Анализ результатов фотолюминесцентных исследований и измерений спектральной зависимости внешнего квантового выхода (AM1.5G, T = 300 K) выявил возрастание плотности тока (~1,1 %) в солнечных элементах на основе полученных гетероструктур GaAs(p):С/GaAs(i)-InAs(QD)/GaAs(n):Si. <...> Ключевые слова: солнечные элементы с промежуточной подзоной; гетероструктуры с квантовыми точками. <...> Будущее этой научнопромышленной отрасли связывают с полупроводниковыми гетероструктурами AIIIBV [1]. <...> Одной из наиболее важных и фундаментальных проблем при преобразовании энергии полупроводниковыми солнечными элементами (СЭ) являются потери на термализацию носителей тока. <...> Наиболее эффективный подход, позволяющий частично решить данную проблему, основывается на использовании каскадных гетероструктурных СЭ [2]. <...> Однако возрастание количества элементов каскада, проводимое с целью повышения КПД, способствует усложнению конструкции СЭ, увеличению числа гетерограниц и коммутационных туннельных диодов, что приводит к возрастанию последовательного сопротивления элемента [3]. <...> Наряду с этим предлагается новый подход к решению данной проблемы, дополняющий концепцию каскадных СЭ. <...> Он основан на применении полупроводниковых гетероструктур с внедренным массивом квантовых точек (КТ) [4]. <...> Благодаря дискретному энергетическому спектру КТ появляется принципиальная возможность решения проблемы термализации. <...> Управляя размерами, формой КТ и составом матрицы, можно контролируемо модифицировать край зоны поглощения дополнительного перехода на КТ, что позволит расширить спектральный диапазон чувствительности <...>