№ 2 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ЭЛЕМЕНТЫ УДК 621.315.592 ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ МОРФОЛОГИИ НАНОКЛАСТЕРОВ Ge/Si (100), ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ ИОННО-ЛУЧЕВОГО ОСАЖДЕНИЯ, ОТ УСЛОВИЙ РОСТА 2013 г. Ф.Ф. Малявин*, Д.С. Кулешов*, В.А. Лапин** *Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону **Северо-Кавказский федеральный университет, г. Ставрополь *South Scientific Center RAS, Rostov-on-Don **North Caucasus Federal University, Stavropol Вследствие огромных перспектив использования наногетероструктур с квантовыми точками в современном приборостроении, возникает повышенный интерес к изучению способов и условий их формирования. <...> Проведено исследование зависимости параметров морфологии нанокластеров Ge, выращенных на поверхности Si (100) методом ионно-лучевого осаждения, от параметров ростового процесса. <...> Выявлены зависимости формы и размеров наноструктур от температуры, времени осаждения и параметров ионного пучка. <...> In this work, the investigation of the morphology parameters dependence of nanocluster Ge, grown on the surface of Si (100) by the method of ion-beam deposition, from the growth process parameters has been carried out. <...> Введение Ввиду больших успехов в создании новых уникальных приборов с использованием квантовых эффектов, внимание технологов привлекают наногетероструктуры на основе Ge/Si. <...> Современные кремниевые технологии успешно конкурируют с традиционными оптоэлектронными материалами, такими как соединения A3B5. <...> Появляются светоизлучающие и фотоприемные кремний-германиевые устройства полупроводниковой индустрии [1]. <...> Перспективным становится использование таких объектов нанотехнологии, как квантовые точки (КТ), позволяющих повысить рабочие характеристики современных полупроводниковых приборов вследствие размерного квантования энергетического спектра носителей заряда и других квантовых эффектов. <...> КТ Ge/Si, как правило, получают методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) [2]. <...> Менее широко используются методы газофазной эпитаксии (ГФЭ) и МОС-гидридной эпитаксии (МОСГЭ) [3]. <...> В данной работе исследованы гетероструктуры с нанокластерами Ge/Si <...>