№ 1 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ЭЛЕМЕНТЫ УДК 539.219.621 КИНЕТИКА РАСПРЕДЕЛЕНИЯ КОМПОНЕНТОВ В СИСТЕМЕ Al–Ga–As В СОВМЕЩЕННОМ ПРОЦЕССЕ ЖИДКОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИИ И ГРАДИЕНТНОЙ ТЕРМОМИГРАЦИИ ЖИДКИХ ЗОН 2013 г. Н.Ю. Архипова, А.В. Благин, Л.В. Благина, С.В. Лозовский, З.Г. Патаридзе Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт) South-Russian State Technical University (Novocherkassk Polytechnic Institute) Обсуждаются результаты прогнозирования состава и толщин эпитаксиальных слоев на основе кинетической модели, разработанной для технологического сочетания процессов жидкофазной эпитаксии и термомиграции зон раствора-расплава. <...> При этом значительный интерес представляет метод жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ), так как он позволяет получать материалы с высоким кристаллическим совершенством. <...> Достаточно отметить, что все многообразие светоизлучающих диодов и лазеров на основе твердых растворов AlxGa1-xAs изготавливают с помощью этого метода. <...> Ценность процесса ЖФЭ определяется возможностями получения полупроводниковых структур с заданными геометрическими параметрами и возможностями управления составом выращиваемых эпитаксиальных слоев. <...> При ЖФЭ с принудительным охлаждением, ограниченный, невозобновляемый запас кристаллизующегося вещества не позволяет достаточно эффективно управлять составом полупроводниковых слоев. <...> При проведении процессов изотермической жидкофазной эпитаксии неконтролируемое гомогенное зародышеобразование еще больше уменьшает возможности управления составами растущих эпитаксиальных слоев. <...> Наряду с поисками новых, порой кардинально отличающихся от традиционных способов синтеза материалов электронной техники, следует искать возможности совершенствования известных и апробированных методик, сохраняющих достоинства традиционных способов ЖФЭ при использовании стандартного технологического оборудования. <...> В этом плане перспективным может оказаться одновременное <...>