УДК 539.219.621 КИНЕТИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ТЕХНОЛОГИИ ГРАДИЕНТНОЙ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ НА ПРИМЕРЕ ДВУХ СИСТЕМ 2012 г. Л.В. Благина*, Н.П. Ефремова**, В.П. Попов**, Б.М. Середин** *Волгодонский филиал Донского государственного технического университета **Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт) *Volgodonsk branch of Donskoy State Technical University **South-Russian State Technical University (Novocherkassk Polytechnic Institute) эпитаксии для описания кинетики роста высокотемпературных соединений А3В5. <...> Выявлены факторы, влияющие на характер зависимость скорости роста от толщины зоны раствора – расплава. <...> Обсуждается возможность применения динамической модели кинетики градиентной жидкофазной Ключевые слова: градиентная жидкофазная эпитаксия; арсенид галлия; динамическая модель; кинетика роста; раствор-расплав. <...> Введение Градиентная жидкофазная эпитаксия (ГЖЭ) является уникальным методом, позволяющим управлять электрофизическими свойствами кристалла, как на его поверхности, так и в объёме [1]. <...> В отличие от традиционной жидкофазной эпитаксии метод ГЖЭ более технологичен, так как для него характерны малое пересыщение на фронте кристаллизации, высокая изотермичность и низкое значение концентрационного переохлаждения, что позволяет выращивать совершенные эпитаксиальные слои. <...> Применение зон раствора – расплава различной геометрии (плоских, линейных, точечных и др.) открывает возможность создания субструктур заданной топологии и с любым заданным количеством объёмных элементов [2]. <...> Широкое использование метода ГЖЭ сдерживается недостаточной изученностью его закономерностей для полупроводниковых соединений 3 5A B . <...> Цель данной работы – экспериментальная проверка динамической модели ГЖЭ на примере двух систем: GaAs – Ga и GaP – Ga. <...> Теоретический анализ Процесс ГЖЭ представляет собой ориентированный рост из тонкого слоя раствора – расплава (зоны), который, как правило, не является единственным <...>