№ 3 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ЭЛЕМЕНТЫ УДК 621.315.592:548.25 ПОЛУЧЕНИЕ СЛОЁВ GexSi1-x НА КРЕМНИИ МЕТОДОМ ВАКУУМНЫХ МИКРОРАЗМЕРНЫХ РОСТОВЫХ ЯЧЕЕК 2012 г. С.В. Лозовский, В.Н. Лозовский, А.Н. Яценко Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт) South-Russian State Technical University (Novocherkassk Polytechnic Institute) Показано, что переход на дискретные источники позволяет применять метод вакуумных микроразмерных ростовых ячеек для получения слоев вещества, находящегося при температуре испарения в жидком состоянии. <...> Осуществлена оптимизация геометрических параметров плоской сетки локальных источников германия, обеспечивающей формирование однородных эпитаксиальных слоев соединения GexSi1-x. <...> Ключевые слова: метод микроразмерных ростовых ячеек; эпитаксиальные слои твердого раствора германийкремний; дискретный источник. <...> Такие пластины являются подложечным материалом для формирования гетероструктур микро- и оптоэлектронного назначения и массово используются при получении эпитаксиальных слоёв кремния в производстве интегральных микросхем. <...> Однако использование подложек кремния для получения совершенных гетероструктур ограничено его кристаллографической несовместимостью с большинством других перспективных полупроводниковых материалов, например, c германием и арсенидом галлия. <...> Указанная несовместимость обычно устраняется нанесением на поверхность кремния переходного слоя твердого раствора кремния в германии (GexSi1-x) переменного состава [2]. <...> В определенных условиях германий на кремнии образует ансамбли квантовых точек, которые позволяют повысить эффективность полупроводниковых фотоприемников, инжекционных гетеролазеров и т.д. <...> Существует несколько широко используемых способов нанесения слоёв Gex Si1-x на кремниевую подложку. <...> Их общий недостаток – снижение эффективности при увеличении размера подложки. <...> В настоящей статье показана возможность получения однородных <...>