УДК 621.3.049.77:539.16.04 МИКРОУРОВНЕВАЯ МОДЕЛЬ ИОНИЗАЦИОННОГО ТОКА р-n ПЕРЕХОДА 2011 г. Н.Н. Панюшкин Воронежская государственная лесотехническая академия Voronezh State Forestry Engineering Academy Разработана нелинейная микроуровневая модель переходного ионизационного тока р-n перехода. <...> Модель учитывает зависимость ионизационного тока от мощности дозы, длительности импульса, температуры и напряженности электрического поля. <...> Приводится сравнение расчетных и экспериментальных данных для тестовых структур. <...> Ключевые слова: p-n переход; мощность дозы; электрон; дырка; рекомбинация; заряд; концентрация; время жизни; подвижность; электрическое поле; ионизационный ток. <...> Структурно-физический уровень является базовым в системе моделирования реакции полупроводниковых приборов на действие ионизирующих излучений (ИИ). <...> Поэтому точность и полнота математических моделей этого уровня во многом предопределяет достоверность прогнозирования показателей радиационной стойкости изделий в целом. <...> В данной работе рассмотрена нелинейная структурно-физическая модель р-n перехода, учитывающая зависимость эффективности ионизации, времени жизни и коэффициента диффузии от температуры полупроводника, концентрации носителей заряда и напряженности электрического поля. <...> Первичный фототок р-n перехода состоит из мгновенной и запаздывающей составляющей I I I мгн зап . <...> Запаздывающая составляющая определяется движением неравновесных носителей заряда (ННЗ) в полупроводниковых слоях под действием градиентов концентраций и электрических полей [2]: I зап n p n ; I Sq рE D x р Dр T T р I I I Sq nE D x Dn р , где In, Ip – электронная и дырочная составляющая запаздывающего ионизационного тока; S – площадь р-n перехода; Е – напряженность электрического поля; n и р – концентрации ННЗ, электронов и дырок соответственно; Dn, Dp – коэффициент диффузии для электронов и дырок соответственно; q – элементарный электрический заряд, q <...>