№ 3 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ЭЛЕМЕНТЫ УДК 539.219.621 НЕКОТОРЫЕ АСПЕКТЫ ФИЗИКИ И ТЕХНИКИ ГРАДИЕНТНОЙ ЭПИТАКСИИ: МОРФОЛОГИЯ ЖИДКОГО ВКЛЮЧЕНИЯ 2011 г. С.Ю. Князев, И.А. Кобзева, А.В. Малибашев, И.С. Шошиашвили Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт) South-Russian State Technical University (Novocherkassk Polytechnic Institute) Обсуждаются результаты моделирования динамики формы жидкого включения в матрице кристалла в поле градиента температуры. <...> Показано влияние микропроцессов растворения и кристаллизации на морфологию двухфазной среды, из которой формируется полупроводниковый материал. <...> Подтверждена адекватность полученной модели для всех режимов градиентной жидкофазной эпитаксии путем сравнения с теоретическими и экспериментальными исследованиями других ученых. <...> Введение Процессы перекристаллизации являются определяющими в технике градиентной жидкофазной эпитаксии (ГЖЭ) новых материалов электроники, поэтому обсуждаемая модель может рассматриваться как важный метод физического исследования. <...> Анизотропия кристаллов является одним из наиболее значимых факторов, влияющих на изменение формы включения в процессе его движения. <...> Знание установившейся (стационарной формы) зоны необходимо для определения многих параметров полупроводниковой структуры. <...> Плотность упаковки атомов кристаллической решетки зависит от кристаллографического направления и определяет скорость атомно-кинетических процессов в этом направлении. <...> В разработанной физикоматематической модели влияние анизотропии на процесс движения жидкой зоны в кристалле учитывается зависимостью атомно-кинетических коэффициентов растворения и кристаллизации от полярного угла направления движения точки границы кристалл – включение. <...> Закономерности влияния атомно-кинетических коэффициентов на форму жидкого включения Анализ влияния анизотропии на форму жидкой зоны осуществлялся в два этапа <...>