Силовая электроника, № 5’2016 Силовая элементная база Взаимосвязь разброса параметров силовых транзисторов и температуры их полупроводниковой структуры В статье рассмотрена зависимость температуры силовых транзисторов от их параметров. <...> Приведены результаты измерения различных параметров у 50 случайно отобранных IGBTтранзисторов одной серии. <...> По измеренным параметрам рассчитываются мощность потерь и температура полупроводниковой структуры транзистора для статического режима работы при постоянном токе, строятся гистограммы распределения параметров по группе испытываемых транзисторов. <...> Делаются выводы о зависимости распределения температур силовых транзисторов от разброса их параметров. <...> Вадим Бардин, к. т. н., профессор Дмитрий Новиков юбая, даже самая совершенная технология не обеспечивает полной идентичности характеристик изделий. <...> Но по ряду изделий, к числу которых относятся силовые транзисторы, значительный разброс параметров может привести к существенному снижению показателей их надежности. <...> Известно, что повышение температуры полупроводниковой структуры силовых приборов на каждые 20 °С снижает их надежность в два раза [1]. <...> Поэтому при комплектовании транзисторных модулей преобразователей электрической энергии необходимо стремиться к обеспечению примерно равного теплового режима для всех транзисторов. <...> Л Критический параметр для транзисторов — предельно допустимая температура их полупроводниковых элементов, которая для большинства современных IGBT-транзисторов составляет 150 °С. <...> Она зависит от параметров U0, Rd прямой вольт-амперной характеристики (ПВАХ) транзистора, величины тока нагрузки, теплового сопротивления прибора и температуры охладителя, на котором установлен транзистор. <...> Зависимость записывается следующим образом: Tj = Tc + PЧ RJC , (1) где Tj — температура структуры, °С; Tc — температура корпуса, °С; P — мощность потерь в транзисторе, 32 Вт; RJC — тепловое сопротивление <...>