Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 635165)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Силовая электроника  / №5(62) 2016

Новая серия высоковольтных 650-В транзисторов SuperFET III Fairchild Semiconductor для построения высокоэффективных источников питания (50,00 руб.)

0   0
Первый авторЕвстифеев Алексей
Страниц4
ID512396
АннотацияКомпания Fairchild Semiconductor анонсировала серию высоковольтных МОП-транзисторов 650 В под названием SuperFET3. Она отличается следующими особенностями: в несколько раз лучшие параметры Qg и Rdson, а также возможность переключения на высоких частотах (200 кГц и выше) и стойкость собственного диода к высоким значениям прямого тока и dV/dt (это особенно важно для схем с мягким переключением).
Евстифеев, А. Новая серия высоковольтных 650-В транзисторов SuperFET III Fairchild Semiconductor для построения высокоэффективных источников питания / А. Евстифеев // Силовая электроника .— 2016 .— №5(62) .— С. 18-21 .— URL: https://rucont.ru/efd/512396 (дата обращения: 08.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Силовая электроника, № 5’2016 Силовая элементная база Новая серия высоковольтных 650-В транзисторов SuperFET III Fairchild Semiconductor для построения высокоэффективных источников питания Алексей Евстифеев омпания Fairchild Semiconductor анонсировала серию высоковольтных МОП-транзисторов 650 В под названием SuperFET3. <...> Она отличается следующими особенностями: в несколько раз К лучшие параметры Qg и Rdson, а также возможность переключения на высоких частотах (200 кГц и выше) и стойкость собственного диода к высоким значениям прямого тока и dV/dt (это особенно важно для схем с мягким переключением). <...> Такие характеристики были получены благодаря развитию существующей технологии SuperFET, которая позволила наряду с прочим уменьшить Рис. <...> Процесс переключения полумостового LLCпреобразователя 16 www.powere.ru Силовая электроника, № 5’2016 Силовая элементная база Рис. <...> Сравнение процесса переключения для корпуса ТО247 с контактом Кельвина и для ТО247 без него размер кристалла транзистора. <...> Например, в корпусе ТО220 удалось разместить кристалл с сопротивлением 60 мОм, а в корпусе ТО247 — 20 мОм (это в 2 раза лучше в сравнении с предыдущим поколением). <...> Также, помимо Rdson, были улучшены и динамические характеристики (Qgзаряд затвора, емкости). <...> По сравнению с тем, что был у серии предыдущего поколения — SuperFET2, заряд затвора стал в 2–3 раза меньше, благодаря чему повысилась частота преобразования. <...> В совокупности улучшение параметров Qg и Rdson (уменьшение динамических и статических потерь) позволяет увеличить энергетическую плотность источников питания до 60 Вт/куб. дюйм и даже до 2 раз выше, чем было у предыдущего поколения, в том числе и благодаря возрастанию частоты преобразования. <...> Только два производителя в мире, включая Fairchild Semiconductor (часть ON Semiconductor), в наши дни обеспечивают такой технологический уровень. <...> В настоящее время большинство мощных преобразователей работают в режимах мягкого переключения (топологии LLC резонансная или фазо-сдвигающая схема). <...> В данных <...>