УДК 621.3.049.77 ТРАНЗИСТОР ШОТТКИ НА ОСНОВЕ КАРБИДА КРЕМНИЯ МОДЕЛИРОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ВЫСОКИХ ТЕМПЕРАТУР НА МОЩНЫЙ СВЧ ПОЛЕВОЙ М. И. <...> В работе представлены модели расчета воздействия высоких температур на электрофизические характеристики мощных СВЧ полевых транзисторов с затвором Шоттки на основе карбида кремния. <...> Представлены зависимости порогового напряжения, сопротивления канала, а так же крутизны передаточной характеристики транзистора. <...> Выполнена оценка влияния толщины подложки на максимальную температуру, а так же токи насыщения транзисторного кристалла при саморазогреве. <...> Также в работе обсуждается теоретический предел применения мощных СВЧ полевых транзисторов с затвором Шоттки на основе карбида кремния при повышенных температурах. <...> Ключевые слова: полевой транзистор с затвором Шоттки, карбид кремния, моделирование полупроводниковых приборов, термостабильность. <...> SIMULATION OF HIGH TEMPERATURE INFLUENCE ON SIC RF POWER MESFET M. <...> Paper presents a model of the influence of high temperatures on the electrical characteristics of power RF SiC MESFET.The influence of high temperature treatment on the electrical characteristics of RF power SiC MESFET was simulated. <...> The theoretical limit of the using of power RF SiC MESFET at height temperatureswas discussed. <...> ВВЕДЕНИЕ В последнее время заметно возрос интерес к мощным СВЧ транзисторам на основе широкозонных полупроводников, таких как карбид кремния и нитрид галлия. <...> Приборы, созданные на основе данных полупроводников, не только обладают электрофизическими характеристиками, превосходящими характеристики транзисторов, созданных на основе традиционных полупроводниковых материалов, но и обладают большей стойкостью к воздействиям высоких температур и радиации. <...> С точки зрения применения мощных СВЧ транзисторов при повышенных температурах наиболее перспективным является использование карбида кремния, в 58 � Черных М. И., Цоцорин А. Н., Кожевников В. А., 2015 ВЕСТНИК ВГУ. <...> Одним из распространенных типов мощных СВЧ транзисторов на основе карбида кремния является полевой транзистор с затвором Шоттки (ПТШ). <...> Конструкция <...>