Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634794)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика  / №2 2013

ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ СВЕРХКОРОТКИХ ИМПУЛЬСНЫХ ПЕРЕГРУЗОК В ШИРОКОМ ТЕМПЕРАТУРНОМ ДИАПАЗОНЕ (90,00 руб.)

0   0
Первый авторБобрешов
АвторыКоровченко И.С., Степкин В.А., Усков Г.К.
Страниц8
ID511844
Аннотацияпроведено экспериментальное исследование зависимости обратимых эффектов воздействия сверхкоротких видеоимпульсов на однокаскадный малошумящий усилитель на основе арсенид-галлиевого транзистора с затвором Шоттки в широком диапазоне температур. Выявлена сложная зависимость эффектов, обусловленная природой глубоких уровней полуизолирующей подложки и особенностями полупроводниковой структуры транзистора
УДК621.382.323
ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ЗАТВОРОМ ШОТТКИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ СВЕРХКОРОТКИХ ИМПУЛЬСНЫХ ПЕРЕГРУЗОК В ШИРОКОМ ТЕМПЕРАТУРНОМ ДИАПАЗОНЕ / А.М. Бобрешов [и др.] // Вестник Воронежского государственного университета. Серия: Физика. Математика .— 2013 .— №2 .— С. 8-15 .— URL: https://rucont.ru/efd/511844 (дата обращения: 26.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

ФИЗИКА УДК 621.382.323 ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ЗАТВОРОМШОТТКИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ СВЕРХКОРОТКИХ ИМПУЛЬСНЫХ ПЕРЕГРУЗОК ВШИРОКОМ ТЕМПЕРАТУРНОМ ДИАПАЗОНЕ А. М. <...> Бобрешов, И. С. Коровченко, В. А. Степкин, Г. К. Усков Воронежский государственный университет Поступила в редакцию 30.08.2013 г. Аннотация: проведено экспериментальное исследование зависимости обратимых эффектов воздействия сверхкоротких видеоимпульсов на однокаскадныймалошумящий усилитель на основе арсенид-галлиевого транзистора с затворомШоттки в широком диапазоне температур. <...> Выявлена сложная зависимость эффектов, обусловленная природой глубоких уровней полуизолирующей подложки и особенностями полупроводниковой структуры транзистора. <...> Ключевые слова: обратимые эффекты, сверхкороткий видеоимпульс, полуизолирующая подложка, глубокие уровни, полевой транзистор с затворомШоттки, малошумящий усилитель, зависимость от температуры. <...> Abstract: experimental investigation of low-noise amplifier, which based GaAs MESFET, under ultra-short pulses exposure was carried out in spread temperature band. <...> Keywords: recovery effects, ultra-short pulses, semi-insulated substrate, deep levels, GaAs MESFET, low-noise amplifier, temperature dependences. <...> ВВЕДЕНИЕ Стойкость радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) к воздействию импульсных перегрузок различной природы является важным параметром современной радиоаппаратуры СВЧ диапазона [1, 2]. <...> В связи со стремительным развитием широкополосных систем передачи информации по радиоканалам среди импульсных помех все чаще выделяют последовательности радио- и видеоимпульсов большой амплитуды. <...> Последствием воздействия таких помех могут быть обратимые и необратимые отказы различных элементов радиоприемного тракта. <...> Наиболее уязвимыми при этом являются входные транзисторные малошумящие усилители (МШУ). <...> Особый интерес среди импульсных помех представляют субнаносекундные сверхкороткие видеоимпульсы (СКВИ). <...> Высокая амплитуда импульсов, воздействующих на входные цепи приемника, может приводить к нарушению работоспособности радиоприемной аппаратуры. <...> № 2 <...>