Модель заряженного устройства Федеральное агентство по техническому регулированию и метрологии приказом от 4 июля 2016 года № 797-ст утвердило и ввело в действие ГОСТ Р 53734.3.3-2016 «Электростатика. <...> Документ подготовлен АО «Научно-производственная фирма «Диполь» и внесен Техническим комитетом по стандартизации ТК 072 «Электростатика». <...> Введение Модели электростатического разряда (далее — ЭСР), указанные в ГОСТ Р 53734.3.1 и ГOCT P 53734.3.2, описывают ЭСР, которые происходят с заряженного предмета на чувствительный к ЭСР компонент (далее — ЧЭСР). <...> Однако, в связи с возрастающим объемом использования автоматизированных систем обработки компонентов, в последнее время все чаще приобретает важность другой потенциально опасный механизм разряда — модель заряженного устройства (далее — МЗУ)*. <...> Компонент в модели МЗУ заряжается (например, скользя по поверхности (трибоэлектризация) или с помощью электростатической индукции электрического поля) и стремительно разряжается аналогично любому проводнику. <...> Точно определить наступление момента разряда с заряженного устройства представляется чрезвычайно сложным либо невозможным по причине инерционности измерительного оборудования и его влияния на процесс разрядки. <...> Пиковый ток, присутствующий в ЧЭCP, существенным образом зависит от большого количества факторов, включая тип корпуса интегральной схемы. <...> Последствиями ЭСР по модели МЗУ могут быть различные нарушения. <...> Чувствительность компонента к ЭСР по модели МЗУ зависит от типа корпуса. <...> Кристалл интегральной схемы (далее — ИС), находящийся в мало* МЗУ — модель воздействия электростатическим разрядом, которая приближенно создает явление разряда, возникающее, когда заряженный компонент быстро разряжается на другой объект с более низким электростатическим потенциалом через сигнальный штырь или контакт. габаритном корпусе (SOP), может быть в большей степени восприимчив к повреждению МЗУ по сравнению с кристаллом <...>