Бобрешов, И. С. Коровченко, В. А. Степкин, Г. К. Усков, Лэ Куанг Тук Воронежский государственный университет Поступила в редакцию 01.06.2016 г. Аннотация. <...> Проведено экспериментальное исследование обратимых эффектов воздействия сверхкоротких видеоимпульсов на однокаскадный малошумящий усилитель на основе кремний-германиевого биполярного транзистора с гетеропереходом. <...> В работе рассмотрены причины возникновенияфизических процессов в полупроводниковой структуре транзистора, лежащих в основе исследуемых эффектов. <...> Установлено, что при воздействии видеоимпульсов как положительной, так и отрицательной полярности происходит уменьшение выходного тока и снижение коэффициента усиления. <...> В статье приведены экспериментальные зависимости статических характеристик транзистора при воздействии последовательности видеоимпульсов: измерены зависимости тока коллектора от времени, напряжений питания и смещения. <...> Ключевые слова: обратимые эффекты, сверхкороткий видеоимпульс, биполярный транзистор с гетеропереходом, малошумящий усилитель. <...> RECOVERABLE FAILS OF LOW-NOISE HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS UNDER ULTRA-SHORT PULSE OVERLOADS EXPOSURE A. <...> Experimental investigation of low-noise amplifier, which based on SiGe heterojunction bipolar transistor, under ultra-short pulses exposure was carried out. <...> Keywords: recovery effects, ultra-short pulses, low noise silicon germanium bipolar RF transistor, low-noise amplifier, temperature dependences. <...> БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ГЕТЕРОПЕРЕХОДОМ ПОД ДЕЙСТВИЕМ СВЕРХКОРОТКИХ ИМПУЛЬСОВ∗ ний (проект № 16–07–01238a). c ∗ Работа выполнена при финансовой поддержке гранта Российского фонда фундаментальных исследова Бобрешов А. М., Коровченко И. С., Степкин В. А., Усков Г. К., Лэ Куанг Тук, 2016 ВЕСТНИК ВГУ. <...> ВВЕДЕНИЕ В составе малошумящих усилителей (МШУ) полупроводниковых радиоприемников сверхвысокочастотного (СВЧ) диапазона все чаще используются биполярные транзисторы с гетеропереходом (БТГП). <...> Вместе с тем, такие транзисторы являются маломощными и рассчитаны на сравнительно небольшие уровни входного сигнала, а, следовательно, подвержены воздействию помех <...>